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J-GLOBAL ID：201902250506152240   整理番号：19A0259073

エレクトロニクス応用に向けたソフト化学リチウム挿入によるアナターゼTaONにおける増強された電気伝導【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Electrical Conduction in Anatase TaON via Soft Chemical Lithium Insertion toward Electronics Application

著者 (14件)： Suzuki Atsushi (Department of Chemistry, School of Science, The University of Tokyo, Japan) ,  Hirose Yasushi (Department of Chemistry, School of Science, The University of Tokyo, Japan) ,  Hirose Yasushi (Kanagawa Academy of Science and Technology, Japan) ,  Nakagawa Takafumi (Department of Mechanical Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo, Japan) ,  Fujiwara Satoshi (Department of Chemistry, School of Science, The University of Tokyo, Japan) ,  Nakao Shoichiro (Kanagawa Academy of Science and Technology, Japan) ,  Matsuo Yutaka (Department of Mechanical Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo, Japan) ,  Matsuo Yutaka (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at the Microscale, University of Science and Technology of China, Anhui, China) ,  Harayama Isao (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Harayama Isao (Tandem Accelerator Complex, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Sekiba Daiichiro (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Sekiba Daiichiro (Tandem Accelerator Complex, University of Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Hasegawa Tetsuya (Department of Chemistry, School of Science, The University of Tokyo, Japan) ,  Hasegawa Tetsuya (Kanagawa Academy of Science and Technology, Japan)
資料名： ACS Applied Nano Materials  (ACS Applied Nano Materials)
巻： 1  号： 8  ページ： 3981-3985  発行年： 2018年 
JST資料番号： W5033A  ISSN： 2574-0970  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： d~0またはd~10の電子配置をもつ金属窒化物半導体は,非毒性顔料および光触媒のための有望な材料であるが,それらの電気的性質はほとんど研究されていない。アナターゼTaON(δ-TaON)はTaONの準安定多形であり,そのエピタキシャル薄膜は電気伝導率の広い同調性とアナターゼTiO_2に匹敵するかなり高い電子移動度のような良好な半導体特性を示した。しかし,陰イオン空格子点によって提供されるキャリア電子(n_e)の密度は~1×10~20cm-3に制限されるので,アナターゼTaONのキャリアドーピングのための方法を確立することはエレクトロニクス応用におけるその利用のための重要な課題である。この報告では,n-ブチルリチウム溶液を用いてアナターゼTaONエピタキシャル薄膜の格子間サイトへのLiのソフト化学挿入を使用し,得られた材料はアニオン欠損アナターゼTaON膜より高いn_e(3.5×10~20cm-3)を示した。さらに,Li挿入アナターゼTaONは室温で30cm~2V~-1s-1以上のHall移動度(μ_H)と6.7×10~4Ωcmの低い抵抗率を示した。対照的に,LiドープTaONの直接気相堆積はTaに対するLi置換を引き起こし,Li+とTa5+間の電荷の大きな差はO/N比の増加により補償された。これらの結果は,ホスト結晶の成長後のLiのソフトな化学的挿入がアナターゼTaONのキャリアドーピングのための効果的な方法であることを示している。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *リチウム ,  ドーピング ,  薄膜 ,  *タンタル ,  *電子技術 ,  半導体 ,  アニオン ,  電気伝導率 ,  光触媒 ,  *アナターゼ ,  薄膜成長 ,  結晶 ,  *電気伝導 ,  エピタクシー ,  電気抵抗率

著者キーワード (7件)： 酸窒化物半導体 ,  エピタキシャル薄膜 ,  ソフト化学リチウム挿入 ,  電子移動度 ,  透明電極 ,  薄膜トランジスタ ,  アナターゼTiO_2

分類 (1件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (8件)： エレクトロニクス ,  応用 ,  ソフト化学 ,  リチウム挿入 ,  アナターゼ ,  TaON ,  増強 ,  電気伝導