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J-GLOBAL ID：201902250642586631   整理番号：19A0552469

四面体結合[数式:原文を参照]の高速相変化機構の理解:電子構造と輸送現象の包括的解析【JST・京大機械翻訳】

Understanding the fast phase-change mechanism of tetrahedrally bonded [Formula : see text]: Comprehensive analyses of electronic structure and transport phenomena

著者 (12件)： Kobayashi Keisuke (Materials Sciences Research Center, Japan Atomic Energy Agency, 1-1-1 Kouto, Sayo-cho, Hyogo, 679-5148, Japan) ,  Kobayashi Keisuke (Research Institute of KUT, Kouchi University of Technology, Tosa yamada, Kami City, Kochi 782-8502, Japan) ,  Skelton Jonathan M. (Department of Chemistry, University of Cambridge, Cambridge CB2 1EW, United Kingdom) ,  Skelton Jonathan M. (Department of Chemistry, University of Bath, Claverton Down, United Kingdom) ,  Saito Yuta (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba Central 5, Higashi 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki, 305-8565, Japan) ,  Shindo Satoshi (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-11 Aoba-yama, Sendai 980-8579, Japan) ,  Kobata Masaaki (Collaborative Laboratories for Advanced Decommissioning Science, Japan Atomic Energy Agency, 2-4 Shirakata, Tokai-mura, Naka-gun, Ibaraki 319-1195, Japan) ,  Fons Paul (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba Central 5, Higashi 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki, 305-8565, Japan) ,  Kolobov Alexander V. (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba Central 5, Higashi 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki, 305-8565, Japan) ,  Elliott Stephen (Department of Chemistry, University of Cambridge, Cambridge CB2 1EW, United Kingdom) ,  Ando Daisuke (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-11 Aoba-yama, Sendai 980-8579, Japan) ,  Sutou Yuji (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-11 Aoba-yama, Sendai 980-8579, Japan)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 97  号： 19  ページ： 195105  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [数式:原文を参照](CGT)相変化材料は,先進的高速不揮発性ランダムアクセスメモリデバイスの有望な候補であり,結晶相に[数式:原文を参照]結合を持つ黄銅鉱様構造を持つ。したがって,相変化(PC)機構は,標準PC材料(例えば,Ge-Sb-Te)のそれとは,3倍から6倍のp状結合をもつ本質的に異なると考えられる。CGTのPC機構を明らかにするために,PCによる電子構造変化を実験室硬X線光電子分光法と第一原理密度汎関数理論分子動力学シミュレーションにより調べた。結晶相と非晶質相の両方における価電子帯スペクトルは計算により良くシミュレートされた。Te[数式:原文を参照]孤立対形成の固有の傾向と結合におけるCu[数式:原文を参照]軌道の増強された関与が,PC機構において支配的な役割を果たすことが分かった。堆積したままの膜の電気伝導率とPC過程中のその変化をFermi準位近傍の価電子帯スペクトル変化と結びつけて調べた。カルコゲナイド非晶質半導体に対するDavisとMottによって提案されたモデルに基づいて,結果を成功裏に解析した。結果は,熱応力に対する欠陥バンド状態のロバスト性がメモリ素子に対するこの材料の実用化の鍵であることを示唆した。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 非揮発性 ,  Fermi準位 ,  密度汎関数法 ,  *相転移 ,  価電子バンド ,  カルコゲン化物 ,  スペクトル ,  第一原理 ,  銅 ,  *高速度 ,  *電子構造 ,  非晶質半導体 ,  *輸送現象 ,  テルル
準シソーラス用語： 結晶相 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 非晶質の電子構造一般  (BM02041I) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 四面体 ,  数式 ,  参照 ,  相変化 ,  理解 ,  電子構造 ,  輸送現象 ,  解析