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J-GLOBAL ID：201902250644179292   整理番号：19A0414867

SiC基板-グラフェン界面に形成したスズ単原子層の電子状態

著者 (13件)： 小森文夫 (東大 物性研) ,  飯盛拓嗣 (東大 物性研) ,  宮町俊生 (東大 物性研) ,  矢治光一郎 (東大 物性研) ,  中島修平 (東大 物性研) ,  林信吾 (九大 大学院工学研究院) ,  VISIKOVSKY Anton (九大 大学院工学研究院) ,  梶原隆司 (九大 大学院工学研究院) ,  中辻寛 (東京工大) ,  白澤徹郎 (産業技術総合研) ,  間瀬一彦 (物質構造研 放射光科学研究施設) ,  間瀬一彦 (総合研究大学院大) ,  田中悟 (九大 大学院工学研究院)
資料名： KEK Progress Report (Web)  (KEK Progress Report (Web))
号： 2018-7  ページ： ROMBUNNO.262 (WEB ONLY)  発行年： 2018年12月 
JST資料番号： U0583A  ISSN： 1344-6320  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

引用文献 (2件)：

• K. Nakatsuji et al., Phys. Rev. B84 (2011) 035436.
• S. Hayashi et al., Appl. Phys. Exp. 11 (2018) 015202

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC基板 ,  グラフェン ,  界面 ,  スズ ,  単原子層 ,  電子状態