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J-GLOBAL ID：201902251238717709   整理番号：19A1758950

h-BNゲート絶縁体を持つボトムゲートβ-Ga_2O_3MISFETにおける還元自己加熱のモデリングとシミュレーション研究【JST・京大機械翻訳】

Modeling and Simulation Study of Reduced Self-Heating in Bottom-Gate β-Ga₂O₃ MISFETs with a h-BN Gate Insulator

著者 (3件)： Jo Sangwook (School of Electronic Engineering, Soongsil University, Seoul, Korea) ,  Yoo Geonwook (School of Electronic Engineering, Soongsil University, Seoul, Korea) ,  Heo Junseok (Department of Electrical and Computer Engineering, Ajou University, Suwon, Korea)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 74  号： 12  ページ： 1171-1175  発行年： 2019年 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： β-酸化ガリウム(β-Ga_2O_3)は,高出力デバイス用の新しい超広バンドギャップ半導体材料である。しかし,主要な欠点の一つは低い熱伝導率であり,熱放散が少なく,いわゆる自己加熱効果がキャリア移動度とドレイン電流劣化を低減し,デバイス信頼性問題を引き起こす。ここでは,六方晶窒化ホウ素(h-BN)ゲート絶縁体を持つボトムゲートβ-Ga_2O_3電界効果トランジスタを提案し,物理ベースTCADシミュレーションを用いて酸化アルミニウム(Al_2O_3)絶縁体と比較して自己加熱効果を調べた。高い熱伝導率を有するh-BNは,β-Ga_2O_3チャネルの格子温度を低下させ,ドレイン電流劣化を減少させた。さらに,絶縁体の厚さが50nm以下に減少し,チャネル長さが5μmに縮小すると,自己加熱効果の減少がより顕著になる。この結果は,高い熱伝導性h-BN絶縁体が,ボトムゲート構成を有する高性能β-Ga_2O_3金属絶縁体半導体電界効果トランジスタ(MISFET)を達成するために有望であることを意味した。Copyright 2019 The Korean Physical Society Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *MISFET ,  チャネル ,  キャリア移動度 ,  *絶縁体 ,  *シミュレーション ,  バンドギャップ ,  半導体 ,  *モデリング ,  半導体材料 ,  熱伝導率
準シソーラス用語： TCAD ,  ドレイン電流 ,  *自己加熱 ,  *ボトムゲート ,  *六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 酸化ガリウム ,  h-BN ,  自己加熱効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： h-BN ,  ゲート絶縁体 ,  ボトムゲート ,  還元 ,  自己加熱 ,  モデリング ,  シミュレーション ,  研究