文献

J-GLOBAL ID：201902251260425821   整理番号：19A1328620

バルクおよびシリコンオン薄い埋め込み酸化物(SOTB)MOSFETにおける高温でのドレイン誘起障壁低下およびサブスレッショルドスロープの変動の低減

Reduced variability of drain-induced barrier lowering and subthreshold slope at high temperature in bulk and silicon-on-thin-buried-oxide (SOTB) MOSFETs

著者 (5件)： GAO Shuang (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MIZUTANI Tomoko (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKEUCHI Kiyoshi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI Masaharu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SB  ページ： SBBA11.1-SBBA11.9  発行年： 2019年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *プリント基板 ,  *酸化膜 ,  *MOSFET ,  高温 ,  短チャネル効果 ,  性能指数 ,  安定性 ,  *特性 ,  電圧変動 ,  温度依存性
準シソーラス用語： *SOI基板 ,  *埋込み酸化膜 ,  障壁低下効果 ,  サブスレッショルドスイング ,  *デバイス特性 ,  トランスファー特性 ,  しきい値電圧のシフト

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (31件)：

• L. T. Su, J. E. Chung, D. A. Antoniadis, K. E. Goodson, and M. I. Flik, IEEE Trans. Electron Devices 41, 69 (1994).
• B. M. Tenbroek, M. S. L. Lee, W. Redman-White, J. T. Bunyan, and M. J. Uren, IEEE Trans. Electron Devices 43, 2240 (1996).
• C. Fiegna, Y. Yang, E. Sangiorgi, and A. G. O’Neill, IEEE Trans. Electron Devices 55, 233 (2008).
• T. Abo, VLSI Tech. Dig., 2007, p. 2.
• K. Takei, IEDM Tech. Dig., 2016, p. 6.1.1.

タイトルに関連する用語 (7件)： バルク ,  埋め込み ,  酸化物 ,  MOSFET ,  ドレイン ,  誘起 ,  障壁