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J-GLOBAL ID：201902251373071259   整理番号：19A1716841

SiC-MOSFETへのdV/dt衝突の温度依存性【JST・京大機械翻訳】

Temperature Dependence of dV/dt Impact on the SiC-MOSFET

著者 (2件)： Nakata Shuhei (Kanazawa Institute of Technology, Nonoichi Japan 8chome Ohgigaoka) ,  Tanaka Shota (Kanazawa Institute of Technology, Electrical and Electronics Enginnering Japan)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 963  ページ： 596-599  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スイッチング損失の低減と電気製品の小型化のために,SiCパワーデバイスを用いた高速スイッチング回路を開発した。高速スイッチングは,スイッチング期間中のドレイン電圧(dV/dt)の急速な変化をもたらす。本論文は,自己ターンオンとSiC-MOSFETの特性,特に温度依存性に及ぼすdV/dt衝撃の影響を報告した。結果は,自己ターンオンを抑制するゲートバイアス電圧が温度と負に相関することを示した。また,dV/dt衝撃はゲートソース絶縁を破壊し,破壊に対するdV/dt値は温度と正に相関することが分かった。Copyright 2019 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  衝撃 ,  ターンオン ,  小型化 ,  スイッチング ,  スイッチング損失 ,  *温度依存性 ,  スイッチ回路 ,  高速度 ,  電圧 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： ゲートバイアス ,  ドレイン電圧 ,  SiCパワーデバイス ,  *SiC MOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： SiC-MOSFET ,  自己ターンオン ,  DV/DT

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  機械的性質  (WB02030U)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  MOSFET ,  dT ,  衝突 ,  温度依存性