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J-GLOBAL ID：201902251592587467   整理番号：19A0006453

Hot-wall法で成膜したBiI₃薄膜の成膜速度及び基板温度依存性

Evaporation-rate and substrate-temperature dependence of BiI₃ thin films grown by a hot-wall technique

著者 (4件)： 有嶋駿士郎 (熊本大 大学院) ,  岩満一功 (熊本大 理) ,  市川聡夫 (熊本大 大学院) ,  赤井一郎 (熊大 パルス研)
資料名： 光物性研究会論文集  (Proceedings of the Symposium of Association for Condensed Matter Photophysics, Japan)
巻： 29th  ページ： 113-116  発行年： 2018年 
JST資料番号： L3956A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  ヨウ化物 ,  化学蒸着 ,  エネルギー移動 ,  励起子 ,  遷移エネルギー ,  基板温度 ,  基板 ,  堆積速度 ,  強束縛近似 ,  薄膜成長 ,  化合物半導体 ,  温度 ,  構成
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  *ホットウォールCVD ,  蒸着温度 ,  蒸着速度 ,  成膜 ,  *励起子遷移

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： HOT ,  成膜 ,  薄膜 ,  成膜速度 ,  温度依存性