文献

J-GLOBAL ID：201902251603725777   整理番号：19A1822432

パワーデバイス応用のための0.76mω ・cm2比抵抗を有するノーマリオフ3ゲートGaN MIS-HEMT【JST・京大機械翻訳】

Normally-Off Tri-Gate GaN MIS-HEMTs with 0.76 mΩ・cm² Specific On-Resistance for Power Device Applications

著者 (12件)： Wu Chia-Hsun (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chen Jian-You (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Han Ping-Cheng (International College of Semiconductor Technology, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Lee Ming-Wen (International College of Semiconductor Technology, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Yang Kun-Sheng (Institute of Photonic System, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Wang Huan-Chung (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chang Po-Chun (Department of Electronic Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Luc Quang Ho (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Lin Yueh-Chin (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Dee Chang-Fu (Institute of Microengineering and Nanoelectronics (IMEN), Universiti Kebangsaan Malaysia (UKM), Bangi, Malaysia.) ,  Hamzah Azrul Azlan (Institute of Microengineering and Nanoelectronics (IMEN), Universiti Kebangsaan Malaysia (UKM), Bangi, Malaysia.) ,  Chang Edward Yi (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 66  号： 8  ページ： 3441-3446  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三ゲートアーキテクチャとハイブリッド強誘電体電荷捕獲ゲートスタックを用いたGaN金属-絶縁体-半導体高電子移動度トランジスタ(MIS-HEMT)を正常オフ動作に対して実証した。従来の平面素子と比較して,三ゲート素子はナノワイヤ側壁に露出した二次元電子ガス(2-DEG)チャネルを有し,そのため,HfON電荷捕獲層のトラップ電荷は側壁からチャネルを容易に枯渇させ,高い正の閾値電圧(V_th)に導き,正常オフ動作を実現した。さらに,側壁上でのこの静電制御を通して,最適化した三ゲート構造を持つハイブリッド強誘電体電荷トラップゲートスタックによって引き起こされた高密度の負電荷,三ゲート素子は低オン抵抗(R_ON)と高正V_thの両方をもつ正常オフGaNデバイスを達成できる。設計した三ゲート素子は,電流密度(I_DS)=1μA/mmで+2.61Vの高いV_th,896mA/mmの高い最大電流密度(I_DS,MAX),5.0Ωmmの低いR_ONおよび788Vの高い絶縁破壊電圧(BV)を示した。著者らの知る限り,提案した三ゲート素子は,BV>650Vで報告されている正常オフGaNデバイス結果の中で最低の比オン抵抗(R_ON,SP)を示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 負電荷 ,  *窒化ガリウム ,  最適化 ,  ナノワイヤ ,  電流密度 ,  半導体 ,  強誘電体 ,  チャネル ,  *HEMT ,  オン抵抗
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  閾値電圧 ,  ゲートスタック ,  電荷捕獲 ,  *パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： パワーデバイス ,  応用 ,  比抵抗 ,  ゲート ,  GaN ,  MIS ,  HEMT