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J-GLOBAL ID：201902252059788301   整理番号：19A0330748

Si基板上に堆積したほぼ歪のないジルコニウム酸チタン酸鉛薄膜の圧電特性【JST・京大機械翻訳】

Piezoelectric properties of a near strain-free lead zirconate titanate thin films deposited on a Si substrate

著者 (9件)： Ohno Tomoya (Department of Materials Science and Engineering, Kitami Institute of Technology, 165 Kouen-chi, Kitami, Hokkaido 090-8507, Japan) ,  Fukumitsu Kentaroh (Department of Materials Science and Engineering, Kitami Institute of Technology, 165 Kouen-chi, Kitami, Hokkaido 090-8507, Japan) ,  Honda Takamasa (Department of Materials Science and Engineering, Kitami Institute of Technology, 165 Kouen-chi, Kitami, Hokkaido 090-8507, Japan) ,  Sakamoto Akinori (Department of Materials Science and Engineering, Kitami Institute of Technology, 165 Kouen-chi, Kitami, Hokkaido 090-8507, Japan) ,  Tanaka Sadaaki (Department of Materials Science and Engineering, Kitami Institute of Technology, 165 Kouen-chi, Kitami, Hokkaido 090-8507, Japan) ,  Hirai Shigeto (Department of Materials Science and Engineering, Kitami Institute of Technology, 165 Kouen-chi, Kitami, Hokkaido 090-8507, Japan) ,  Matsuda Takeshi (Department of Materials Science and Engineering, Kitami Institute of Technology, 165 Kouen-chi, Kitami, Hokkaido 090-8507, Japan) ,  Sakamoto Naonori (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1, Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, Japan) ,  Suzuki Hisao (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1, Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, Japan)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 239  ページ： 71-74  発行年： 2019年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バッファ層構造を設計することにより,Si基板上の無歪ジルコニウム酸チタン酸鉛(PZT)薄膜に近い化学溶液堆積(CSD)を調製した。Zr/Ti=50/50から58/42の範囲の異なる組成を持つ歪フリーPZT薄膜を得て,圧電特性に及ぼす格子歪効果を実証した。結果は,Si基板上でさえ,SrRuO_3(SRO:160nm)/(La_0.5,Sr_0.5)CoO_3(LNO:90nm)/LaNiO_3(LNO:120nm)/積層構造により,近歪フリー条件が達成されることを示した。近歪フリーPZT薄膜の最も高い実効d_33値は,53/47組成で観察された。それは,バルク材料と同じであるが,最も高い有効d_33値は,圧縮格子歪条件下で58/42組成から得られた。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  格子歪 ,  バッファ層 ,  *圧電気 ,  積層構造
準シソーラス用語： 化学溶液堆積 ,  *圧電特性 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 化学溶液堆積 ,  格子歪 ,  多層構造 ,  圧電 ,  ゾル-ゲル調製 ,  薄膜

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  堆積 ,  歪 ,  ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  薄膜 ,  圧電特性