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J-GLOBAL ID：201902252727756446   整理番号：19A1143155

準一次元構造を持つSn_1.2-xNbTi_0.8S_3の電子構造と熱電特性【JST・京大機械翻訳】

Electronic structure and thermoelectric properties of Sn_1.2-xNbTi_0.8S₃ with a quasi-one-dimensional structure

著者 (10件)： Suekuni Koichiro (Department of Applied Science for Electronics and Materials, Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University, Kasuga, Fukuoka 816-8580, Japan) ,  Usui Hidetomo (Department of Physics, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-0043, Japan) ,  Qiao Siying (Department of Applied Science for Electronics and Materials, Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University, Kasuga, Fukuoka 816-8580, Japan) ,  Hashikuni Katsuaki (Department of Applied Science for Electronics and Materials, Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University, Kasuga, Fukuoka 816-8580, Japan) ,  Hirano Tatsuya (Department of Applied Science for Electronics and Materials, Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University, Kasuga, Fukuoka 816-8580, Japan) ,  Nishiate Hirotaka (Research Institute for Energy Conservation, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Lee Chul-Ho (Research Institute for Energy Conservation, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Kuroki Kazuhiko (Department of Physics, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-0043, Japan) ,  Watanabe Kosuke (Transdisciplinary Research and Education Center for Green Technologies, Kyushu University, Kasuga, Fukuoka 816-8580, Japan) ,  Ohtaki Michitaka (Department of Applied Science for Electronics and Materials, Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University, Kasuga, Fukuoka 816-8580, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 125  号： 17  ページ： 175111-175111-7  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三硫化スズ,Sn_1.2Ti_0.8S_3の電子構造と熱電特性を報告した。結晶構造は,Sn2+によりキャップされた二重エッジ共有(Sn4+/Ti4+)S6八面体の無限「リボン」から成る。第一原理計算は単結晶のリボン軸に沿った電子のほぼ一方向の輸送とSn2+上の孤立電子の存在を予測する。多結晶プレス試料に関する実験は,Sn_1.2Ti_0.8S_3が室温で電気抵抗率と大きな負のSeebeck係数の半導体温度依存性を示すことを実証した。八面体サイトにおけるSn4+に対するNb5+の置換は電子キャリア濃度を増加させ,熱電力率の増大をもたらす。電子特性の異方性は,プレス試料中の結晶子のリボン軸の弱い配向のために弱い。格子熱伝導率は元の試料と置換試料に対して1W K~-1m-1以下であり,これはSn2+の孤立電子を介したリボン間の弱い結合と八面体サイトにおけるSn4+,Ti4+,及びNb5+のランダム占有に起因する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： プレス ,  結晶構造 ,  多結晶 ,  温度依存性 ,  異方性 ,  キャリア密度 ,  半導体 ,  結晶 ,  単結晶 ,  電気抵抗率 ,  八面体 ,  計算 ,  *電子構造
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  硫化スズ ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 準一次元構造 ,  電子構造 ,  熱電特性