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J-GLOBAL ID：201902253112819111   整理番号：19A0660994

ピエゾ-フォトトロニック効果による近赤外シリコン光センシングの大幅な改善【JST・京大機械翻訳】

Largely Improved Near-Infrared Silicon-Photosensing by the Piezo-Phototronic Effect

著者 (10件)： Dai Yejing (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Georgia, United States) ,  Dai Yejing (Key Laboratory of Advanced Ceramics and Machining Technology, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Tianjin University, China) ,  Wang Xingfu (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Georgia, United States) ,  Peng Wenbo (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Georgia, United States) ,  Zou Haiyang (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Georgia, United States) ,  Yu Ruomeng (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Georgia, United States) ,  Ding Yong (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Georgia, United States) ,  Wu Changsheng (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Georgia, United States) ,  Wang Zhong Lin (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Georgia, United States) ,  Wang Zhong Lin (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, China)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 7  ページ： 7118-7125  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン(Si)デバイスは現代の(光-)エレクトロニクスのバックボーンであるが,赤外Si-光センシングは光吸収における限界のために低効率に悩まされている。ここでは,堆積したCdS層を介して圧電-光電子効果を導入することにより,Si系近赤外(NIR)光検出器(PD)の光応答性の36倍増強に相当する性能の大きな改善を実証した。ヘテロ接合に対して-0.15‰の圧縮歪を外部に適用することにより,局所接合におけるキャリア動力学変調を圧電分極により誘起でき,PDの光応答性と検出能は2桁の増強を示し,ピーク値はそれぞれ19.4A/Wと1.8×10~12cmHz~1/2/Wであった。得られた最大応答性は,NIR波帯における市販SiおよびInGaAs PDのものよりかなり大きかった。一方,上昇時間と落下時間は外部圧縮歪下で84.6%と76.1%減少した。本研究は,高集積Siベース光電子システムに対する圧電光電子効果による高性能NIR光センシングを達成するための費用対効果の高い方法を提供した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光電子 ,  圧電気 ,  *近赤外線 ,  ヘテロ接合 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  電子技術 ,  分極 ,  光検出器 ,  *ケイ素 ,  *赤外線 ,  光吸収 ,  ピーク値 ,  応答特性
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  光応答 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 近赤外線 ,  Siベース ,  CdSナノワイヤ ,  光センシング ,  ピエゾ-フォトトロニック効果

分類 (4件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  分析機器  (CC02020S) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 近赤外 ,  シリコン ,  光センシング