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J-GLOBAL ID：201902253163602357   整理番号：19A0181845

電極触媒水素発生に向けたMOS_2ナノシートにおけるPドーパント誘起の新しい基底面活性部位と拡大層間間隔【JST・京大機械翻訳】

P Dopants Triggered New Basal Plane Active Sites and Enlarged Interlayer Spacing in MoS₂ Nanosheets toward Electrocatalytic Hydrogen Evolution

著者 (7件)： Liu Peitao (Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials of MOE, Key Laboratory of Special Function Materials and Structure Design of MOE, Lanzhou University, PR China) ,  Zhu Jingyi (Department of Physics and Astronomy, Clemson Nanomaterials Center and COMSET, Clemson University, South Carolina, United States) ,  Zhang Jingyan (Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials of MOE, Key Laboratory of Special Function Materials and Structure Design of MOE, Lanzhou University, PR China) ,  Xi Pinxian (Key Laboratory of Nonferrous Metal Chemistry and Resources Utilization of Gansu Province, The Research Center of Biomedical Nanotechnology, Lanzhou University, PR China) ,  Tao Kun (Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials of MOE, Key Laboratory of Special Function Materials and Structure Design of MOE, Lanzhou University, PR China) ,  Gao Daqiang (Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials of MOE, Key Laboratory of Special Function Materials and Structure Design of MOE, Lanzhou University, PR China) ,  Xue Desheng (Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials of MOE, Key Laboratory of Special Function Materials and Structure Design of MOE, Lanzhou University, PR China)
資料名： ACS Energy Letters  (ACS Energy Letters)
巻： 2  号： 4  ページ： 745-752  発行年： 2017年 
JST資料番号： W5040A  ISSN： 2380-8195  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOS_2ベースの遷移金属カルコゲン化物は,電極触媒水素製造の応用において大きな可能性を有する費用対効果が高く,非常に活性で安定な材料と考えられている。しかし,それらの活性部位の限られた量と乏しい伝導率は水素生産の効率を妨げている。計算と実験の組み合わせにより,PドーパントがMoS_2の基底面における新しい活性サイトであり,固有の電子伝導率を改善し,水素発生に対して著しく改善された活性をもたらすことを実証した。さらに,PドープMoS_2ナノシートは,増大した層間間隔を示し,水素吸着と放出進展を促進した。実験結果は,拡大した層間間隔を有するPドープMoS_2ナノシートが顕著な電極触媒活性と良好な長期操作安定性(34mV/decのTafel勾配と10mA/cm2で~43mVの極端に低い過電圧)を示すことを示した。著者らの方法は,非金属ドーピングによる水素発生反応のためのMoS_2の電極触媒効率を改善するための容易な技術を示し,他の遷移金属カルコゲン化物の触媒特性を増強し理解するために探求することができた。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： カルコゲン化物 ,  *電極触媒 ,  *ナノシート ,  過電圧 ,  *活性部位 ,  *ドーパント ,  ドーピング ,  遷移金属 ,  水素発生反応
準シソーラス用語： 電極触媒活性 ,  水素吸着 ,  伝導率 ,  費用対効果 ,  水素製造 ,  *水素発生 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電極触媒 ,  水素発生 ,  ナノシート ,  ドーパント ,  誘起 ,  基底面 ,  活性部位 ,  拡大