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J-GLOBAL ID：201902254277685721   整理番号：19A1483752

二重CoFeB/MgO界面磁気トンネル接合に対する磁気的および電気的性質の挿入層厚み依存性【JST・京大機械翻訳】

Insertion Layer Thickness Dependence of Magnetic and Electrical Properties for Double-CoFeB/MgO-Interface Magnetic Tunnel Junctions

著者 (8件)： Miura S. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Nguyen T. V. A. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Endoh Y. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Sato H. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Ikeda S. (Center for Spintronics Integrated Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Nishioka K. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Honjo H. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Endoh T. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 55  号： 7  ページ： ROMBUNNO.3401004.1-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 400°Cでアニールし,熱安定性因子Δ,固有臨界電流I_C0および減衰定数αのt_W依存性を評価した,種々のW挿入層厚t_Wを有する二重CoFeB-MgO界面磁気トンネル接合(MTJ)の磁気的および電気的性質を研究した。スピン移動トルク効率(Δ/I_C0)値はt_Wの減少と共に増加し,強磁性共鳴により測定したαはt_Wの増加と共に増加し,Δ/I_C0から計算した値と一致した。この結果は,薄いW挿入層を持つMTJの低い減衰定数が,より高いΔ/I_C0に寄与することを示している。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  臨界電流 ,  *電気的性質 ,  熱安定性 ,  *酸化マグネシウム ,  強磁性共鳴 ,  減衰定数 ,  *磁気 ,  *層厚 ,  スピントルク ,  *厚み依存性 ,  *磁気トンネル接合

分類 (1件)： 磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (6件)： MgO ,  界面 ,  磁気トンネル接合 ,  磁気 ,  電気的性質 ,  厚み依存性