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J-GLOBAL ID：201902254582217177   整理番号：19A1414984

ランダム電信信号法を用いた電荷トラップフラッシュメモリにおける窒化物正孔横方向輸送の特性評価【JST・京大機械翻訳】

Characterization of nitride hole lateral transport in a charge trap flash memory by using a random telegraph signal method

著者 (8件)： Liu Yu-Heng (Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao-Tung University, 1001 Ta-Hsueh Road, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Jiang Cheng-Min (Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao-Tung University, 1001 Ta-Hsueh Road, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Lin Hsiao-Yi (Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao-Tung University, 1001 Ta-Hsueh Road, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Wang Tahui (Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao-Tung University, 1001 Ta-Hsueh Road, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Tsai Wen-Jer (Macronix International Company, Ltd., No. 16, Li-Hsin Road, Science Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Lu Tao-Cheng (Macronix International Company, Ltd., No. 16, Li-Hsin Road, Science Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Chen Kuang-Chao (Macronix International Company, Ltd., No. 16, Li-Hsin Road, Science Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan) ,  Lu Chih-Yuan (Macronix International Company, Ltd., No. 16, Li-Hsin Road, Science Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 3  ページ： 033501-033501-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷捕獲フラッシュメモリにおける窒化物トラップ正孔横方向輸送を調べるために,ランダム電信信号法を用いた。この方法の概念は,界面酸化物トラップとその関連するランダムテレグラフ信号を内部プローブとして利用し,窒化物電荷横運動から生じる局所チャネル電位変化を検出することである。メモリセルのドレインに異なる電圧を印加し,保持温度を変えて,窒化物中の正孔横方向運動の電場と温度依存性を調べた。横方向輸送におけるトラップホールによる熱エネルギー吸収を特性化した。保持における正孔横方向輸送の機構を調べた。測定結果とモデル化結果から,熱支援トラップ-バンドトンネリングが,窒化物正孔横方向輸送における主要な捕獲正孔放出機構であることを見出した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 捕獲 ,  電場 ,  記憶素子 ,  電圧 ,  *窒化物 ,  電位 ,  *電信 ,  *フラッシュメモリ ,  モデリング ,  界面 ,  温度依存性 ,  *正孔 ,  チャネル ,  プローブ ,  *電荷

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電信 ,  電荷トラップ ,  フラッシュメモリ ,  窒化物 ,  正孔 ,  横方向 ,  輸送 ,  特性評価