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J-GLOBAL ID：201902255350303001   整理番号：19A0470192

転位フィルタを用いたSi上の1.7eV Al_0.2Ga_0.8Asおよび1.42eV GaAs太陽電池のMBE成長:III-V/Si太陽電池アーキテクチャに向けた代替経路【JST・京大機械翻訳】

MBE growth of 1.7eV Al_0.2Ga_0.8As and 1.42eV GaAs solar cells on Si using dislocations filters: an alternative pathway toward III-V/ Si solar cells architectures

著者 (10件)： Onno Arthur (Department of Electronic and Electrical Engineering, WC1E 7JE, United Kingdom) ,  Tang Mingchu (Department of Electronic and Electrical Engineering, WC1E 7JE, United Kingdom) ,  Wang Mu (Department of Electronic and Electrical Engineering, WC1E 7JE, United Kingdom) ,  Maidaniuk Yurii (Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AK, 72701, USA) ,  Benamara Mourad (Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AK, 72701, USA) ,  Mazur Yuriy I. (Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AK, 72701, USA) ,  Salamo Gregory J. (Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AK, 72701, USA) ,  Oberbeck Lars (Renewables & Power, Total Gas, Paris La Defense, 92069, France) ,  Wu Jiang (Department of Electronic and Electrical Engineering, WC1E 7JE, United Kingdom) ,  Liu Huiyun (Department of Electronic and Electrical Engineering, WC1E 7JE, United Kingdom)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 3370-3375  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si上のIII-V太陽電池の変成エピタキシャル成長は,III-V/Si光起電力アーキテクチャの開発に対して大きな関心を引き付けている。本研究では,Si上へのAl_xGa_1-xAs材料の直接核形成に基づくMBE成長技術を用いた代替経路を提示し,続いて1.7eV Al_0.2Ga_0.8Asまたは1.42eV GaAs太陽電池の成長を行った。熱サイクルアニーリング(TCA)と組み合わせた転位フィルタ層(DFLs)を用いて,セルのベースにおいて10~7cm-2以下のThread Dislocation density(TDD)を減少させた。変成緩衝液で実証された最良の結果に近い。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 変成作用 ,  *太陽電池 ,  熱サイクル ,  *計算機アーキテクチャ ,  *ヒ化ガリウム ,  エピタクシー ,  *MBE成長 ,  光起電力 ,  核形成 ,  *ケイ素 ,  *フィルタ ,  焼なまし

分類 (3件)： 音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： 転位 ,  Si ,  GaAs ,  太陽電池 ,  MBE成長 ,  アーキテクチャ ,  代替 ,  経路