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J-GLOBAL ID：201902255416666058   整理番号：19A0251448

近閾値SRAM設計のための収率最適化法による効率的なHIHG-SIGMA収率解析【JST・京大機械翻訳】

Efficient Hihg-Sigma Yield Analysis with Yield Optimization Method for Near-Threshold SRAM Design

著者 (6件)： Jiang Chengzhi (China Academy of Space Technology(Cast), Beijing, 100094, China) ,  Fan Xiaoming (China Academy of Space Technology(Cast), Beijing, 100094, China) ,  Xing Yan (China Academy of Space Technology(Cast), Beijing, 100094, China) ,  Qi Xiangkun (China Academy of Space Technology(Cast), Beijing, 100094, China) ,  Wang Yang (China Academy of Space Technology(Cast), Beijing, 100094, China) ,  Wang He (China Academy of Space Technology(Cast), Beijing, 100094, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICICM  ページ： 73-79  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プロセスの強化,装置の特徴サイズはより小さくなり,電源の演繹はSRAMの設計を必要とする。6-T SRAMの設計には,多くの課題を克服するために多くの方法があるが,それを最適化するために多くの方法がある。しかし,より小さい特徴サイズとより低い電力供給は,静的雑音マージン(SNM)の性能の低下と漏れ電流の増加を生み出す。また,それらは以前よりはるかに不確実な因子を生成する。より悪くなるために,6-T SRAMは適切に機能しない可能性がある。従って,より低い供給電圧で動作する良好な設計収率(DFY)を有する新しい構造がより重要になる。8-T SRAMと呼ぶ代替構造を見出した。そして,将来のSRAM設計における要求に対して,その性能がより適切であることを証明することができた。しかし,8-T SRAM設計を最適化する包括的方法はまだなく,その収率が許容できるか否かを知らない。本論文では,収率解析と性能最適化の効率的な組合せに依存する統計的8-T SRAM設計のための包括的な方法を提案した。著者らの知る限り,これは,このような包括的方法が,より低い電力供給によって8-T SRAM設計を分析して,最適化するために適用されることを初めて示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 雑音 ,  *SRAM ,  漏れ電流 ,  不確実性 ,  電力供給 ,  *最適化
準シソーラス用語： 性能最適化 ,  供給電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 閾値 ,  SRAM ,  設計 ,  収率 ,  最適化 ,  解析