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J-GLOBAL ID：201902255912258649   整理番号：19A0527734

樹脂で成形した窒化ケイ素基板における絶縁破壊の進展【JST・京大機械翻訳】

Evolution of PD properties till breakdown in silicon nitride substrate molded with resin

著者 (8件)： Akinaga Yuya (Kyushu Institute of Technology) ,  Maki Junya (Kyushu Institute of Technology) ,  Kozako Masahiro (Kyushu Institute of Technology) ,  Hikita Masayuki (Kyushu Institute of Technology) ,  Nakamura Yoko (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  Taniguchi Katsumi (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  Ikeda Tadanari (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  Okamoto Kenji (Fuji Electric Co., Ltd.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISEIM  ページ： 664-667  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,劣化度および寿命を定量的に評価するために,絶縁破壊までの60Hzでac9kVrmsを適用することにより,樹脂で成形した0.32mm厚Si3N4基板の部分放電(PD)発生相および電荷(φ-q)特性の進展を取り扱った。実験結果は,全ての試験片がPDの大きさが突然増加した直後に低下することを明らかにした。これはPDの大きさだけから寿命を期待することが困難である。一方,φ-q特性は破壊まで連続的に変化した。すなわち,φ-q特性の形状は,破壊の数分前に,ウサギ様パターンを示した。さらに,PD分布のパターンの歪度を,別々に正と負の相で分析した。結果として,正と負の歪度は破壊に近づくと3から4倍に増加した。したがって,本研究は,PD発生分布の統計的パラメータ歪度が,樹脂で成形されたSi3N4絶縁基板の寿命を期待する可能性を提供できることを示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 部分放電 ,  *窒化ケイ素 ,  *窒化 ,  *絶縁破壊 ,  電荷
準シソーラス用語： *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 窒化ケイ素 ,  絶縁破壊 ,  進展