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J-GLOBAL ID：201902256502028832   整理番号：19A1309988

H終端Si(111)-(1×1)表面上のFeの成長と界面形成の初期段階に関する原子論的研究【JST・京大機械翻訳】

Atomistic investigation on the initial stage of growth and interface formation of Fe on H-terminated Si(111)-(1 × 1) surface

著者 (3件)： Kawaguchi Ryo (Department of Physics, Graduate School of Science, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Eguchi Toyoaki (Department of Physics, Graduate School of Science, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Suto Shozo (Department of Physics, Graduate School of Science, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 686  ページ： 52-57  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素終端Si(111)-(1×1)表面上のFe薄膜の初期成長過程を走査型トンネル顕微鏡(STM)と分光法(STS)を用いて直接原子スケール測定により調べた。室温で基板上にFeを堆積させることにより,(111)配向体心立方構造をもつナノメータサイズのFeクラスタが(1×1)構造を維持することにより基板表面上に形成された。クラスタが成長すると,{110}ナノファセットから成る丘状構造がFeクラスタの表面に現れた。エンプティ状態STM像において,基板表面の抑制がFeナノクラスタの周辺で観察された。この抑制は,Feナノクラスタと基板表面の間のSchottky接合の形成を示している。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 基板 ,  クラスタ ,  ナノクラスタ ,  薄膜成長 ,  薄膜 ,  *界面 ,  *鉄 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *シリコン(111) ,  Schottky接合 ,  基板表面 ,  原子スケール ,  初期成長 ,  水素終端
準シソーラス用語： ナノファセット , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 鉄 ,  H終端Si(111) ,  薄膜成長 ,  ナノクラスタ ,  局所バンド曲げ ,  走査型トンネル顕微鏡と分光法

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  金属の表面構造  (BK15020P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 終端 ,  Si ,  Fe ,  成長 ,  界面 ,  初期段階 ,  研究