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J-GLOBAL ID：201902256654910930   整理番号：19A1413678

蓄積モードゲートセンサによるシリコン量子ドットの分散読出し【JST・京大機械翻訳】

Dispersive readout of a silicon quantum dot with an accumulation-mode gate sensor

著者 (4件)： Rossi A. (Cavendish Laboratory, University of Cambridge, J.J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, United Kingdom) ,  Zhao R. (School of Electrical Engineering and Telecommunications, The University of New South Wales, Sydney 2052, Australia) ,  Dzurak A. S. (School of Electrical Engineering and Telecommunications, The University of New South Wales, Sydney 2052, Australia) ,  Gonzalez-Zalba M. F. (Hitachi Cambridge Laboratory, J.J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, United Kingdom)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 21  ページ： 212101-212101-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高感度電荷検出により,固体系における量子ビット読み出しが可能になった。最近,オンチップ電気計による良く確立された電荷検出の代替法が,その場ゲート検出器と高周波分散読取技術に基づいて出現した。このアプローチは,センシングに向けた付加的なデバイス構成要素の必要性を除去することにより,スケーラビリティを容易にすることを約束する。ここでは,蓄積モードのシリコン量子ドットのゲートベースの分散読取を行った。蓄積モードゲート検出器の応答はそのバイアス電圧,特にこれが電子蓄積の閾値を超えると著しく影響されることを観測した。これらの結果を,分散応答への競合する容量寄与の観点から議論し説明した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： HF【周波数】 ,  検出器 ,  高感度 ,  *量子ドット ,  *ケイ素
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  オンチップ ,  量子ビット ,  電荷検出 ,  *読出し ,  *蓄積モード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 蓄積モード ,  ゲート ,  シリコン ,  量子ドット ,  読出し