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J-GLOBAL ID：201902256901252316   整理番号：19A1413855

誘電体としてTiO_2を用いた三次元MIM構造において達成された185nF/mm_2の高静電容量密度【JST・京大機械翻訳】

High capacitance density of 185 nF/mm² achieved in three-dimensional MIM structures using TiO₂ as a dielectric

著者 (4件)： Chaker A. (University Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38000 Grenoble, France) ,  Gonon P. (University Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38000 Grenoble, France) ,  Vallee C. (University Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38000 Grenoble, France) ,  Bsiesy A. (University Grenoble Alpes, CNRS, LTM, F-38000 Grenoble, France)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 24  ページ： 243501-243501-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,三次元(3D)金属-絶縁体-金属(MIM)構造を,シリコン基板中にエッチされた円錐孔の高密度アレイ上にアルミニウムをドープしたTiO_2層の原子層堆積により得た。MIM構造の開発された面積を増加させるために,円錐孔の異なる特徴を作製した。約185nF/mm2の静電容量密度を,それぞれ5および10μmの底部および上部円錐孔直径を有する19.2μmの深い穴のアレイ上で得た。興味あることに,開発した面積による容量密度スケールの増加とMIM構造の電気的性質の劣化は観測されなかった。実際に,3D MIM構造を横切る漏れ電流は平面(2D)MIM構造のように小さいままである。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *静電容量 ,  円錐 ,  ドーピング ,  *誘電体 ,  二次元 ,  電気的性質 ,  アルミニウム ,  絶縁体 ,  *MIM構造 ,  漏れ電流 ,  *三次元
準シソーラス用語： 二層 ,  高密度 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 誘電体 ,  MIM構造 ,  静電容量 ,  密度