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J-GLOBAL ID：201902257054067237   整理番号：19A2212522

効率的な水素発生のための欠陥に富む一次元MOS_2階層構造:一つの触媒への複数の利点の結合【JST・京大機械翻訳】

Defect-rich one-dimensional MoS₂ hierarchical architecture for efficient hydrogen evolution: Coupling of multiple advantages into one catalyst

著者 (13件)： Jiao Shilong (College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, PR China) ,  Yao Zhaoyu (College of Materials Science and Engineering, Hunan University, Changsha, Hunan, 410082, PR China) ,  Xue Fei (International Research Center for Renewable Energy, State Key Laboratory of Multiphase Flow in Power Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi, 710049, PR China) ,  Lu Yangfan (State Key Lab of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, PR China) ,  Liu Maochang (International Research Center for Renewable Energy, State Key Laboratory of Multiphase Flow in Power Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi, 710049, PR China) ,  Deng Huiqiu (School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, Hunan 410082, PR China) ,  Ma Xiufang (College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, PR China) ,  Liu Zhixiao (College of Materials Science and Engineering, Hunan University, Changsha, Hunan, 410082, PR China) ,  Ma Chao (College of Materials Science and Engineering, Hunan University, Changsha, Hunan, 410082, PR China) ,  Huang Hongwen (College of Materials Science and Engineering, Hunan University, Changsha, Hunan, 410082, PR China) ,  Huang Hongwen (State Key Lab of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, PR China) ,  Ruan Shuangchen (College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, PR China) ,  Zeng Yu-Jia (College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, PR China)
資料名： Applied Catalysis. B: Environmental  (Applied Catalysis. B: Environmental)
巻： 258  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0375A  ISSN： 0926-3373  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素発生反応(HER)プロセスに対する層状二硫化モリブデン(MoS_2)の活性を最適化することは,一般的に電気輸送,固有活性,および/または活性サイトの数を改善することによって達成される。しかし,顕著なMoS_2ベースの電極触媒を達成するためにこれらの因子を同時に結合することはほとんど報告されていない。ここでは,欠陥の多い一次元MoS_2階層構造(1D-DRHA MoS_2)への容易なアプローチを報告する。それは,豊富な欠陥と一次元階層形態の有利な構造的特徴を相乗的に統合する。HERプロセスに向けて,1D-DRHA MoS_2電極触媒は10mAcm-2で119mVの過電圧,50.7mVdec-1のTafel勾配を示し,優れた安定性を伴った。注目すべきことに,活性はHERのための最先端のMoS_2ベースの電極触媒に対して競争力がある。実験的証拠と密度汎関数理論計算の組合せにより,豊富な欠陥と一次元階層構造の組込みが電気伝導率,固有活性,および活性サイトを改善し,これらが共に,ブーストされたHER性能を説明することを示した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 構造特性 ,  電極触媒 ,  過電圧 ,  水素発生反応 ,  活性部位 ,  最適化 ,  *階層構造 ,  *一次元 ,  エレクトロトランスポート ,  電気伝導率 ,  *触媒
準シソーラス用語： 密度汎関数計算 ,  二硫化モリブデン ,  *水素発生 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 水素発生反応 ,  MOS_2 ,  欠陥工学 ,  結合効果 ,  空孔

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素発生 ,  欠陥 ,  階層構造 ,  触媒 ,  利点