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J-GLOBAL ID：201902257105568965   整理番号：19A0896830

GaFeO₃単結晶基板を用いたSc_0.5Fe_1.5O₃薄膜の単ドメイン化

著者 (11件)： 立山昂輝 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  片山司 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  越阪部拓也 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  太宰卓朗 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  YU Jianding (中国科学院 上海珪酸塩研) ,  HE Huan (中国科学院 上海珪酸塩研) ,  WANG Hui (中国科学院 上海珪酸塩研) ,  濱嵜容丞 (学習院大) ,  安井伸太郎 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  谷山智康 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  伊藤満 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： セラミックス基礎科学討論会講演要旨集  (Preprints of the Symposium on Basic Science of Ceramics)
巻： 56th  ページ： 213  発行年： 2018年01月11日 
JST資料番号： L1357A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *スカンジウム化合物 ,  鉄酸塩 ,  ガリウム化合物 ,  *エピタクシー ,  基板 ,  *材料 ,  *セラミック膜 ,  構造 ,  磁化 ,  *マルチフェロイック材料 ,  ドメイン構造
準シソーラス用語： ドメイン

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単結晶基板 ,  薄膜 ,  ドメイン