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J-GLOBAL ID：201902257138146055   整理番号：19A2168908

フレキシブルオプトエレクトロニクスデバイスにおける2D Ga_2O_3のポテンシャルの理解:一軸歪と電場の影響【JST・京大機械翻訳】

Understanding the Potential of 2D Ga₂O₃ in Flexible Optoelectronic Devices: Impact of Uniaxial Strain and Electric Field

著者 (8件)： Guo Rui (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an, 710071, China) ,  Su Jie (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an, 710071, China) ,  Lin Zhenhua (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Junjing (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an, 710071, China) ,  Qin Yu (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Jincheng (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an, 710071, China) ,  Chang Jingjing (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an, 710071, China) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an, 710071, China)
資料名： Advanced Theory and Simulations  (Advanced Theory and Simulations)
巻： 2  号： 9  ページ： e1900106  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2665A  ISSN： 2513-0390  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)Ga_2O_3の発見は,β-Ga_2O_3の性能をさらに調整する有効な方法を提供した。2D Ga_2O_3に及ぼす歪と電場(E-場)の影響を理解することは,柔軟な装置における機構と潜在的応用を調査するために役に立つ。ここでは,一軸歪とE場下での単層Ga_2O_3の輸送と光学的性質を調べた。価電子帯におけるπ結合の異なる変化により,一軸張力下で間接から直接へのバンドギャップ遷移が起こる。バンドギャップは圧縮から張力への放物線変化特性を示し,一軸歪の方向に関係する。興味あることに,輸送特性は一軸歪の方向に敏感であり,b方向に沿った圧縮と張力の両方が単層Ga_2O_3の移動度を強化し,それは電子有効質量のそれと一致しない。引張単分子層Ga_2O_3の移動度は,2D層状材料のそれと異なり,48368.14cm~2V~1s-1に拡大することができた。興味あることに,超可視吸収係数はc方向に沿った圧縮により著しく増強された。単層Ga_2O_3が大きなE場(>0.5eVÅ-1)を受けると,バンドギャップと異方性輸送特性は減少し,消失さえする。結果は,フレキシブルデバイスにおける2D Ga_2O_3の機構と可能性を明らかにするのに有用である。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 引張 ,  単一層 ,  *一軸 ,  異方性 ,  単分子層 ,  *電場 ,  積層材料 ,  バンドギャップ ,  張力 ,  *二次元 ,  有効質量 ,  価電子バンド
準シソーラス用語： フレキシブルデバイス ,  輸送特性 ,  *一軸歪 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 二次元Ga2O ,  キャリア移動度 ,  第一原理 ,  フレキシブルデバイス

分類 (2件)： 公衆衛生  (GB02000X) ,  看護,看護サービス  (GB07000G)

タイトルに関連する用語 (6件)： オプトエレクトロニクスデバイス ,  2D ,  ポテンシャル ,  理解 ,  一軸歪 ,  電場