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J-GLOBAL ID：201902257330545161   整理番号：19A2161204

電着により合成した高熱伝導性Cu-ダイヤモンド複合材料とボイドフリー複合材料への添加物の臨界効果【JST・京大機械翻訳】

High thermal conductive Cu-diamond composites synthesized by electrodeposition and the critical effects of additives on void-free composites

著者 (6件)： Wu Yongpeng (National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, China) ,  Tang Zhiyong (National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, China) ,  Wang Yan (National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, China) ,  Cheng Ping (National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, China) ,  Wang Hong (National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, China) ,  Ding Guifu (National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 45  号： 16  ページ： 19658-19668  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,電着により合成された高い熱伝導率(TC)Cu-ダイヤモンド複合材料と,電気めっきボイドフリーCuマトリックスダイヤモンド複合材料に及ぼす2種類の競合添加剤(DVF-B,加速器,DVF-C,抑制剤)の重要な影響を提示した。異なるめっき時間で合成した複合材料の表面と内部微細構造を調べ,添加物の臨界効果を示した。良く結合したダイヤモンド/銅界面が促進され,ボイドのないCu-ダイヤモンド複合材料が得られ,614.87W/m Kの改善されたTCをもたらした。複合材料の微細構造,結晶化,界面結合に及ぼすDVF-BとDVF-Cの影響を詳細に調べた。興味あることに,DVF-Bはダイヤモンド粒子により形成された小さい微小間隔で銅の完全充填を促進する傾向があり,一方,DVF-Cは大きな間隔で銅析出を抑制し,銅ノジュールをレベリングする傾向がある。このようにして,ボイド/ギャップとノジュールはCu-ダイヤモンド複合材料で除去され,良く結合した界面と高いTCをもたらす。添加剤システムの濃度は,5ml/Lから14ml/LまでのDVF-Cによる5ml/Lより大きいDVF-Bとして推奨した。本研究では,マイクロエレクトロニクス産業における高TC Cu-ダイヤモンド複合材料の限界を解決する可能性のある,電気めっきボイドフリー銅マトリックス-ダイヤモンド複合材料のための競合添加剤を利用した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *複合材料 ,  めっき ,  電気めっき ,  *臨界 ,  団塊 ,  マイクロエレクトロニクス ,  *電着 ,  レベリング ,  *ダイヤモンド ,  微細構造 ,  熱伝導率 ,  界面 ,  結晶化 ,  抑制剤 ,  *銅

著者キーワード (5件)： 銅基複合材料 ,  電着 ,  添加剤 ,  ボイドフリー ,  高熱伝導率

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電着 ,  高熱伝導性 ,  Cu ,  ダイヤモンド ,  複合材料 ,  ボイド ,  添加物 ,  臨界