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J-GLOBAL ID：201902257331629499   整理番号：19A2301323

高性能光検出器としての三次元グラフェン電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Three-Dimensional Graphene Field-Effect Transistors as High-Performance Photodetectors

著者 (14件)： Deng Tao (School of Electronic and Information Engineering, Beijing Jiaotong University, China) ,  Deng Tao (Institute of Microelectronics, Tsinghua University) ,  Zhang Zhaohao (Institute of Microelectronics, Tsinghua University) ,  Zhang Zhaohao (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, IC Advanced Process R&D Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), China) ,  Liu Yaxuan (School of Electronic and Information Engineering, Beijing Jiaotong University, China) ,  Wang Yingxin (Key Laboratory of Particle & Radiation Imaging, Ministry of Education, Department of Engineering Physics, Tsinghua University) ,  Su Fang (School of Electronic and Information Engineering, Beijing Jiaotong University, China) ,  Li Shasha (School of Electronic and Information Engineering, Beijing Jiaotong University, China) ,  Zhang Yang (School of Electronic and Information Engineering, Beijing Jiaotong University, China) ,  Li Hao (Department of Electronic Engineering, Tsinghua University) ,  Chen Houjin (School of Electronic and Information Engineering, Beijing Jiaotong University, China) ,  Zhao Ziran (Key Laboratory of Particle & Radiation Imaging, Ministry of Education, Department of Engineering Physics, Tsinghua University) ,  Li Yue (Department of Electronic Engineering, Tsinghua University) ,  Liu Zewen (Institute of Microelectronics, Tsinghua University)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 19  号： 3  ページ： 1494-1503  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンは,その優れた電子的および光学的性質のため,高性能光検出器のための理想的な材料である。しかし,グラフェンの弱い光吸収は,平面(二次元または二次元)バックゲート化グラフェン電界効果トランジスタ(GFET)に基づく従来の光検出器の光応答性を制限する。ここでは,二次元埋込みゲートGFETを三次元(3D)管状GFETに変える自己回転アップ法を報告した。管状共振微小共振器内部の光場が増強され,光-グラフェン相互作用面積が増加するので,得られた3D GFETの光応答性は著しく改善される。3D GFET光検出器は,紫外,可視,中赤外およびテラヘルツ(THz)領域で室温光検出を示し,1AW-1以上の紫外および可視光応答性と,3.11THzで0.232AW-1の光応答性を示した。これらの素子の電気帯域幅は1MHzを超えた。この高い光応答性,広いスペクトル範囲,および高速のこの組合せは,3Dグラフェンオプトエレクトロニック素子およびシステムに対する新しい機会をもたらすであろう。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 共振 ,  スペクトル ,  高速度 ,  *光検出器 ,  *三次元 ,  二次元 ,  可視光 ,  *光検出 ,  赤外線 ,  応答特性 ,  *グラフェン ,  *FET【トランジスタ】 ,  テラヘルツ波
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  光応答 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 3D ,  グラフェン ,  FET ,  光検知器 ,  THz

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高性能 ,  光検出器 ,  グラフェン ,  電界効果トランジスタ