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J-GLOBAL ID：201902257561559906   整理番号：19A0658863

低温での原子層堆積によるSnS薄膜の合成【JST・京大機械翻訳】

Synthesis of SnS Thin Films by Atomic Layer Deposition at Low Temperatures

著者 (18件)： Baek In-Hwan (Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology, South Korea) ,  Baek In-Hwan (Department of Materials Science and Engineering, and Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, South Korea) ,  Pyeon Jung Joon (Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology, South Korea) ,  Pyeon Jung Joon (KU-KIST Graduate School of Converging Science and Technology, Korea University, South Korea) ,  Song Young Geun (Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology, South Korea) ,  Song Young Geun (School of Electrical Engineering, Korea University, South Korea) ,  Chung Taek-Mo (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology, South Korea) ,  Kim Hae-Ryoung (High-Temperature Energy Materials Research Center, Korea Institute of Science and Technology, South Korea) ,  Baek Seung-Hyub (Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology, South Korea) ,  Baek Seung-Hyub (Department of Nanomaterials Science and Technology, Korea University of Science and Technology, South Korea) ,  Kim Jin-Sang (Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology, South Korea) ,  Kang Chong-Yun (Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology, South Korea) ,  Kang Chong-Yun (KU-KIST Graduate School of Converging Science and Technology, Korea University, South Korea) ,  Choi Ji-Won (Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology, South Korea) ,  Hwang Cheol Seong (Department of Materials Science and Engineering, and Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, South Korea) ,  Han Jeong Hwan (Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology, South Korea) ,  Han Jeong Hwan (Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University of Science and Technology, South Korea) ,  Kim Seong Keun (Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology, South Korea)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 29  号： 19  ページ： 8100-8110  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2-D)金属カルコゲン化物はバルク材料とは異なる独特の性質のために大きな注目を集めている。新しいデバイスにおける2-D金属カルコゲン化物の実装における挑戦は,現在の製造プロセスに適合する温度において,広い領域にわたって良く結晶化した層を調製することである。高い正孔移動度を持つp型層状半導体の一硫化スズは,その低融点のため低温での大面積成長を実現する有望な候補である。しかし,スズ硫化物は2つの顕著な結晶相,SnSとSnS_2中に存在する。したがって,Snの酸化状態を制御し,純粋なSnS膜を達成することが必須である。ここでは,原子層蒸着(ALD)によるSnS薄膜の合成を,広い温度窓(90~240°C)上で,SnとS源としてそれぞれビス-(1-ジメチルアミノ-2-メチル-2-プロポキシ)-スズ-(IIとH_2Sを用いて実証した。炭素,酸素,窒素などの不純物は無視できるほど検出された。板状斜方晶系SnS結晶粒の形態変化が210°C以上で観察された。さらに,活性層としてSnS膜を用いた薄膜トランジスタとガスセンサの特性を調べた。SnS ALDプロセスは,新しい電子デバイスを実現するための二次元金属カルコゲナイドの興味ある特性を利用する有望な機会を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スズ ,  *低温 ,  二次元 ,  結晶化 ,  炭素 ,  結晶粒 ,  薄膜トランジスタ ,  半導体 ,  不純物 ,  酸素 ,  薄膜成長 ,  硫化物 ,  *薄膜 ,  窒素
準シソーラス用語： 大面積 ,  硫化スズ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温 ,  原子層堆積 ,  SNS ,  薄膜