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J-GLOBAL ID：201902257704277841   整理番号：19A0659105

トリシランにより可能になった軸Si/Geナノワイヤヘテロ構造の低温成長【JST・京大機械翻訳】

Low-Temperature Growth of Axial Si/Ge Nanowire Heterostructures Enabled by Trisilane

著者 (5件)： Hui Ho Yee (School of Chemical & Biomolecular Engineering, Georgia Institute of Technology, Georgia, United States) ,  de la Mata Maria (Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), CSIC and The Barcelona Institute of Science and Technology (BIST), Catalonia, Spain) ,  Arbiol Jordi (Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), CSIC and The Barcelona Institute of Science and Technology (BIST), Catalonia, Spain) ,  Arbiol Jordi (ICREA, Catalonia, Spain) ,  Filler Michael A. (School of Chemical & Biomolecular Engineering, Georgia Institute of Technology, Georgia, United States)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 29  号： 8  ページ： 3397-3402  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 軸性Si/Geヘテロ構造ナノワイヤは,エレクトロニクスから熱輸送への応用におけるそれらの有望性にもかかわらず,合成が非常に困難なままである。ここでは,トリシランとジゲルマンを組み合わせたAu触媒を用いて,低温で軸性Si/Geヘテロ構造を成長させた。このアプローチは,詳細な電子顕微鏡特性化,優れた形態と純粋な軸方向組成プロファイルを持つエピタキシャルSi/Geナノワイヤのアレイで決定される。著者らのデータは,ヘテロ構造形成が蒸気-液体-固体または蒸気-固体機構によって起こり得ることを示した。これらの知見は,半導体ナノワイヤ合成における前駆体化学の重要性を強調し,プログラム可能な量子ドメインをもつSi/Geナノワイヤへの扉を開く。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  *ナノワイヤ ,  エピタクシー ,  電子顕微鏡 ,  *低温 ,  電子技術 ,  前駆体 ,  金 ,  軸方向 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  触媒 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： ドメイン構造 ,  熱輸送 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： トリシラン ,  Si ,  Ge ,  ナノワイヤ ,  ヘテロ構造 ,  低温成長