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J-GLOBAL ID：201902258166368842   整理番号：19A2523519

太陽光発電シリコンの一方向性凝固中の炭素分布と析出の数値モデリング【JST・京大機械翻訳】

Numerical modeling of carbon distribution and precipitation during directional solidification of photovoltaic silicon

著者 (1件)： Stelian Carmen (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, SIMAP-EPM, 1340 Rue de la Piscine, BP 75, F-38402 Saint Martin d’Heres, France)
資料名： International Journal of Heat and Mass Transfer  (International Journal of Heat and Mass Transfer)
巻： 145  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0390A  ISSN： 0017-9310  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 数値モデリングを用いて,多結晶シリコンの方向性凝固における炭素分布と析出を調べた。炭素中の異なるグレードの汚染を持つシリコン原料から出発する垂直Bridgman凍結(VGF)システムで成長させた直径6cmの試料について計算を行った。本研究では,シリコン融液中の炭素析出を支配する未知の反応速度係数の値を,文献から得られた実験結果と数値的に計算された濃度プロファイルを比較することによって推定した。数値結果は,成長速度が界面たわみ,溶融対流および炭素析出に有意な影響を及ぼすことを示した。低炭素汚染(<1018at/cm3)の融液から成長させたシリコン試料は,高成長速度(1~2cm/h)で凝固させても,SiC析出物中に低含有量を示すことが分かった。SiC析出物の形成を避けるために,高い初期炭素汚染(5~1018at/cm3)を有する試料を,はるかに低い速度(0.2cm/h)で凝固させるべきである。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 析出物 ,  界面 ,  ポリシリコン ,  濃度分布 ,  対流 ,  *一方向凝固 ,  成長速度 ,  *炭素 ,  反応速度 ,  炭化ケイ素 ,  凍結 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 融液 ,  炭素析出 ,  *数値モデリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 方向性凝固 ,  半導体シリコン ,  コンピュータシミュレーション ,  不純物 ,  炭素輸送と降水

分類 (1件)： 相変化を伴う熱伝達  (PA02040V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 太陽光発電 ,  シリコン ,  一方向性凝固 ,  炭素 ,  分布 ,  析出 ,  数値モデリング