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J-GLOBAL ID：201902258730258544   整理番号：19A1376632

Ge-Au同時蒸着膜を用いた金誘起層交換成長法によるGe結晶の低温形成

著者 (5件)： 栫昂輝 (福岡大 理) ,  笠原健司 (福岡大 理) ,  清水昇 (熊本高専) ,  角田功 (熊本高専) ,  眞砂卓史 (福岡大 理)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.12p-M113-1  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【研究背景】近年、結晶性シリコンよりも電子・正孔移動度がともに高い結晶性ゲルマニウム(c-Ge)を、絶縁性基板上に低温(≦300°C)で形成しようという研究が盛んに行われている。中でも金(Au)を触媒として用いた金誘起層交換成長(GIC)法と...【本文一部表示】

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *結晶成長 ,  金 ,  同時蒸着 ,  *低温生成 ,  X線回折 ,  電子回折 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 低温形成 ,  XRD ,  EBSD

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ge ,  Au ,  同時蒸着 ,  金 ,  誘起 ,  成長 ,  結晶 ,  低温形成