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J-GLOBAL ID：201902258806147332   整理番号：19A2114813

In_0.5Ga_0.5As量子ドットの励起スピン特性に及ぼすキャッピング層の成長温度の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of growth temperature of a capping layer on excited spin properties of In_0.5Ga_0.5As quantum dots

著者 (5件)： Nakamura Yuto (Faculty of Engineering, Hokkaido University, Kita 13, Nishi 8, Kita-ku, Sapporo, 060-8628, Japan) ,  Hiura Satoshi (GSIST, Hokkaido University, Kita 14, Nishi 9, Kita-ku, Sapporo, 060-0814, Japan) ,  Sato Shino (Faculty of Engineering, Hokkaido University, Kita 13, Nishi 8, Kita-ku, Sapporo, 060-8628, Japan) ,  Takayama Junichi (GSIST, Hokkaido University, Kita 14, Nishi 9, Kita-ku, Sapporo, 060-0814, Japan) ,  Murayama Akihiro (GSIST, Hokkaido University, Kita 14, Nishi 9, Kita-ku, Sapporo, 060-0814, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： CSW  ページ： 1-2  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 円偏光度(CPD)の挙動を含む光ルミネセンス(PL)分光法により,In_0.5Ga_0.5As量子ドット(QD)の光スピン特性に及ぼすキャッピング層の成長温度の影響を研究した。基底状態のPLエネルギーはキャッピング成長温度の低下と共に低エネルギー側にシフトし,これはQD内部のIn組成の増加に起因する。QD励起状態からのPL強度の温度依存性は,キャッピング成長温度の減少に伴うより大きな熱活性化エネルギーを示し,QDから障壁への電子の熱脱出の抑制を示した。さらに,高いCPD値が種々のキャッピング成長温度で成長させたこれらのQDの高品質を保証することができる,PLエネルギーの減少に関連したCPDスペクトルピークの低エネルギーシフトを観測した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 温度依存性 ,  励起状態 ,  光ルミネセンス ,  *励起 ,  *インジウム ,  基底状態 ,  円偏光 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： エネルギーシフト ,  高品質 ,  熱活性化 ,  低エネルギー ,  *キャップ層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 量子ドット ,  励起 ,  スピン ,  キャッピング層 ,  成長温度