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J-GLOBAL ID:201902258858915002   整理番号:19A1811958

水素化非晶質シリコンの高圧閉じ込め化学蒸着におけるシラン分解の動力学【JST・京大機械翻訳】

Kinetics of Silane Decomposition in High-Pressure Confined Chemical Vapor Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon
著者 (7件):
資料名:
巻: 56  号: 51  ページ: 14995-15000  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0385C  ISSN: 0888-5885  CODEN: IECRED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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内径5.9μmの微小毛細管において,20~33MPaの圧力での閉じ込め高圧化学蒸着(HPCVD)によるシラン熱分解の速度論を研究した。成長速度はシラン濃度に関して一次であり,活性化エネルギーは53.7±2.9kcal/mol,前指数因子は1.5×10~10m/sであった。得られた活性化エネルギーはc-Si表面からの水素脱着について報告された活性化エネルギーの範囲にあり,表面からの水素脱着が膜成長の律速段階であることを示唆した。この知見をさらに調べるために,清浄および水素不動態化c-Si上のシランの熱分解の反応性分子動力学シミュレーションを行った。均一反応は,シリコン表面上の不均一シラン分解が膜堆積の支配的機構であるという仮説を支持して,シミュレーションのいずれにおいても観察されなかった。清浄なc-Si表面上のシラン熱分解シミュレーションにおいて,ほとんど全ての利用可能なシリコン表面サイト(すなわち,ダングリングボンド)は気相シランへの曝露によりケイ素-水素化物(主に三および二水素化物)により占められたが,水素不動態化c-Si上のシラン分解シミュレーション中には反応は観察されなかった。したがって,反応性分子動力学シミュレーションの結果は,表面からの水素脱着から生じるダングリングボンドの利用可能性が,高圧での膜成長における律速段階であることを示している。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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反応操作(単位反応)  ,  化学プロセスの解析 

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