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J-GLOBAL ID：201902258906666627   整理番号：19A2114673

微分抵抗低減のための埋め込みリッジ導波路型GaInAsP/InP膜分布反射器レーザ【JST・京大機械翻訳】

Buried-ridge-waveguide Type GaInAsP/InP Membrane Distributed-Reflector Lasers for Reduction of Differential Resistance

著者 (7件)： Takahashi Naoki (Tokyo Inst. of Technology, Japan) ,  Nakamura Nagisa (Tokyo Inst. of Technology, Japan) ,  Yoshida Takamasa (Tokyo Inst. of Technology, Japan) ,  Fang Weicheng (Tokyo Inst. of Technology, Japan) ,  Amemiya Tomohiro (IIR, Tokyo Inst. of Technology, Japan) ,  Nishiyama Nobuhiko (IIR, Tokyo Inst. of Technology, Japan) ,  Arai Shigehisa (IIR, Tokyo Inst. of Technology, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： CSW  ページ： 1  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オンチップ光相互接続の光源として,低消費電力動作の膜分布帰還形(DR)レーザを研究した。今回は,直列抵抗を低減するために,埋め込みリッジ導波路(BRW)構造を採用することにより,膜DRレーザのエネルギー消費をさらに改善するようにした。(a)平坦型(従来型)埋込みヘテロ構造と(b)BRW構造のモード分布を調べ,p側電極と活性領域間の距離,およびそれらの微分抵抗を計算した。理論計算の結果,微分抵抗は30μmのDFB断面長,リッジ高さd=50nm,傾斜メサ幅Wd<0.5μmに対して180Ωに低減でき,この値は平坦型BH構造のそれより約40%小さい。このようなBRW構造を実現するために,OMVPEによりGaInAsマーカー層を挿入することにより,InPの成長期間を制御した。結果として,リッジ高さd=50nmおよび傾斜メサ幅Wd=0.2μmのBRW構造を,4.6分の成長時間で得ることに成功した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フィードバック ,  光源 ,  *リン化インジウム ,  *リッジ導波管 ,  *反射器 ,  活性部位 ,  エネルギー消費 ,  *レーザ ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  MOCVD ,  *微分
準シソーラス用語： *微分抵抗 ,  ヘテロ構造 ,  直列抵抗 ,  オンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (8件)： 微分抵抗 ,  埋め込み ,  リッジ導波路 ,  GaInAsP ,  InP ,  分布 ,  反射器 ,  レーザ