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J-GLOBAL ID：201902259165836506   整理番号：19A1416643

Al_2O_3/InGaAsゲートスタックの境界トラップ分析改善のための直列抵抗とゲート漏れ補正【JST・京大機械翻訳】

Series resistance and gate leakage correction for improved border trap analysis of Al₂O₃/InGaAs gate stacks

著者 (4件)： Tang K. (Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Scheuermann A. G. (Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Zhang L. (Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  McIntyre P. C. (Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 9  ページ： 094503-094503-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子デバイスのサイズが縮小するにつれて,直列抵抗(R_S)とゲート漏れ効果が,金属-酸化物-半導体ゲートスタックの電気測定において一般的に観察される。デバイス特性に及ぼすそれらの影響の結果として,これらの現象は,容量-電圧(C-V)および伝導-電圧(G-V)測定を用いて,ゲート絶縁体における境界トラップ密度(N_bt)の解析を複雑にした。本研究では,N_btを決定するために,C-VおよびG-Vデータの信頼できるフィッティングを可能にするために,Al_2O_3/InGaAsゲートスタックにおけるR_Sおよびゲート漏れの影響を補正する方法を開発した。Pd/Al_2O_3/InGaAsゲートスタックからのデータを用いて試験したとき,R_S補正法は,C-V曲線の蓄積領域におけるR_S誘起高周波数分散を首尾よく除去し,R_SとN_btの正確な抽出を提供した。ゲート漏れ補正法を,2Vバイアスで約25μAの高いゲート漏れ電流を有するゲートスタック上でテストし,一貫したN_bt抽出を達成するために,容量とコンダクタンスデータに効果的に適合することを見出した。これらの2つの方法の適合性を,実質的なR_Sとゲート漏れの両方を有するゲートスタックから得られたデータの解析によって確認した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気測定 ,  コンダクタンス ,  適応性 ,  酸化物 ,  半導体 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  バイアス ,  電圧 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ゲート漏れ電流 ,  周波数分散 ,  トラップ密度 ,  デバイス特性 ,  *直列抵抗 ,  *ゲートスタック , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaAs ,  ゲートスタック ,  境界 ,  トラップ ,  分析 ,  直列抵抗 ,  ゲート