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J-GLOBAL ID：201902259693497151   整理番号：19A0661071

超薄(<2nm)高分子被覆による多孔質超低k誘電体膜の表面局在封止【JST・京大機械翻訳】

Surface-Localized Sealing of Porous Ultralow-k Dielectric Films with Ultrathin (<2 nm) Polymer Coating

著者 (7件)： Yoon Seong Jun (Department of Electrical Engineering, KAIST) ,  Pak Kwanyong (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, KAIST) ,  Nam Taewook (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Republic of Korea) ,  Yoon Alexander (Lam Research Corporation, California, United States) ,  Kim Hyungjun (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Republic of Korea) ,  Im Sung Gap (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, KAIST) ,  Cho Byung Jin (Department of Electrical Engineering, KAIST)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 8  ページ： 7841-7847  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体集積回路チップ産業は,信号経路に沿った静電容量を減少させることにより,チップ動作速度を改善するために,多レベル相互接続プロセスに多孔質超低k(ULK)誘電体を導入するために努力してきた。しかし,今日まで,多孔質性の高いULK誘電体(多孔性>40%,誘電率(k)<2.4)は,多孔質性が非連続障壁堆積,障壁金属の侵入,信頼性の問題を含む多くの重大な問題を引き起こすので,実際のデバイスではうまく採用されていない。ここでは,多レベル相互接続方式でうまく使用できる多孔質ULK誘電体を可能にする方法を示した。多孔質ULK誘電体膜(k=2.0,空隙率~47%)の表面は,多段階開始化学蒸着(iCVD)プロセスにより堆積した薄い(<2nm)高分子により完全にシールできた。iCVDプロセスを用いて,薄い細孔シーリング層は多孔質ULK誘電体膜の表面にのみ局在し,それはkの増加を最小にすることができた。最終有効kは2.2以下で,誘電体膜への金属バリア前駆体の侵入は完全に阻止された。また,細孔封止ULK誘電体膜は,高密度低k誘電体膜に匹敵する優れた長期信頼性を示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 密封装置 ,  *誘電体 ,  細孔 ,  誘電率 ,  信頼性 ,  *多孔性 ,  化学蒸着 ,  銅 ,  多孔質体 ,  空隙率 ,  前駆体 ,  静電容量 ,  *誘電体薄膜 ,  *高分子 ,  相互接続 ,  半導体

著者キーワード (5件)： 細孔シーリング ,  超低k誘電体 ,  Cu相互接続 ,  開始化学蒸着 ,  ラインプロセスのバックエンド

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  静電機器  (NB10020R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高分子被覆 ,  多孔質 ,  低k誘電体 ,  封止