文献
J-GLOBAL ID:201902260179618946   整理番号:19A1414561

GaN光電極における多孔性増強太陽光発電水素発生【JST・京大機械翻訳】

Porosity-enhanced solar powered hydrogen generation in GaN photoelectrodes
著者 (5件):
資料名:
巻: 111  号: 20  ページ: 203901-203901-5  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
電気化学エッチング法を用いて,水平に整列したあるいは垂直に整列したナノ細孔を用いた2種類のGaN系光電極を作製した。このようなナノ構造に基づく光電極は,それらの平面対応物と比較して,印加バイアス光子対電流効率および入射光子対電流効率において最大5倍の増強を示し,1に近づく高いファラデー変換効率をもたらした。これらのナノ細孔を有するGaN光電極は,電解質としてHBr溶液中で優れた化学的安定性を示した。得られた結果は,ナノ細孔中のガス拡散が,ナノ細孔構造を持つGaN光電極の設計時に考慮すべき水分解過程において重要な役割を果たすことを明らかにした。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
発光素子  ,  光伝導,光起電力  ,  その他の電気・電子部品 

前のページに戻る