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J-GLOBAL ID:201902260370811829   整理番号:19A0658519

緩い半導体粉末の屈折率と絶対吸収を推定するための自己参照法【JST・京大機械翻訳】

Self-Referenced Method for Estimating Refractive Index and Absolute Absorption of Loose Semiconductor Powders
著者 (6件):
資料名:
巻: 29  号: 11  ページ: 4632-4640  発行年: 2017年 
JST資料番号: T0893A  ISSN: 0897-4756  CODEN: CMATEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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絶対吸収係数α(E)は,太陽光発電のような古典的技術と直接太陽燃料生産のような新しい技術の両方に対して,再生エネルギー生産に関連する光捕集のための半導体を用いたデバイスのための重要な設計パラメータである。α-(E)は光起電力応用に使用される多くの古典的な単純半導体に対して良く知られているが,α-(E)の絶対値は,α-(E)を決定する従来の方法に必要な単結晶または結晶エピタキシャル膜の不在による太陽燃料生産のために調べられている。本研究では,拡散反射率データを用いてゆるい粉末試料に対する屈折率n(E)と絶対吸収係数α(E)の両方を推定するための簡単な自己参照法を示した。この方法において,サンプル屈折率は,nに依存するHapke変換を通して計算された二方向反射率データから計算された相対吸収スペクトルとnに依存しないKubleka-Munk変換を通して計算された球拡散反射率データの間の一致を最大化することによって推定できる。この新しい方法は,集光応用のための新しい半導体システムの適合性をスクリーニングするために迅速に使用できる。このアプローチの有効性を,単純な古典的半導体GeとFe_2O_3,ならびに複合半導体La_2MoO_5とLa_4Mo_2O_11を用いて試験した。この方法は狭いサイズ分布(Fe_2O_3によって例示される)を有する粉末に対して良く機能し,広いサイズ分布(Geによって例示される)を有する半導体に対して効果的でないことを示した。このように,それは緩い粉末としてのみ利用可能な複雑な固体の絶対光学特性を迅速に推定する手段を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (4件):
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電池一般  ,  塩基,金属酸化物  ,  電気化学反応  ,  太陽電池 
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