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J-GLOBAL ID：201902260431768449   整理番号：19A2114552

InAs/GaSbコア/シェルナノワイヤのゲート調整可能なエネルギーギャップと負の磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】

Gate tunable energy gap and negative magnetoresistance of InAs/GaSb core/shell nanowires

著者 (6件)： Pan Zhencun (Beijing Key Laboratory of Quantum Devices, Key laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices, Peking University, China) ,  Huang Shaoyun (Beijing Key Laboratory of Quantum Devices, Key laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices, Peking University, China) ,  Zhou Yifeng (Beijing Key Laboratory of Quantum Devices, Key laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices, Peking University, China) ,  Pan Dong (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhao Jianhua (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Xu Hongqi (Beijing Key Laboratory of Quantum Devices, Key laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices, Peking University, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： CSW  ページ： 1  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重ゲート構造で調整した高品質InAs/GaSbコア/シェルナノワイヤの低温輸送研究を示した。ナノワイヤは分子ビームエピタクシー法により成長させた。明確な両極性輸送特性を実証した。n型とp型のコンダクタンス領域の間では,エネルギーギャップから生じる低コンダクタンス領域が調整可能であり,二重ゲートによりある条件で閉じることさえできることが分かった。磁場を印加して,エネルギーギャップを特定方向に沿って磁場中で閉じることができることを見出した。特に,負の磁気抵抗があるエネルギーギャップ領域で観測され,負の磁気抵抗から正の磁気抵抗への転移が二重ゲートによって調整できる。負の磁気抵抗現象は弱い反局在効果に対して高温で持続的であることが分かった。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エネルギーギャップ ,  高温 ,  *ヒ化インジウム ,  *アンチモン化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  磁場 ,  *磁気抵抗 ,  MBE成長 ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： 反局在 ,  輸送特性 ,  両極性 ,  高品質 ,  二重ゲート ,  *負性磁気抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： InAs ,  GaSb ,  コア ,  シェル ,  ナノワイヤ ,  ゲート ,  エネルギーギャップ ,  負の磁気抵抗