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J-GLOBAL ID：201902260621966900   整理番号：19A0035656

極低温における1.2kV SiCパワーMOSFETの特性評価【JST・京大機械翻訳】

Characterization of 1.2 kV SiC Power MOSFETs at Cryogenic Temperatures

著者 (10件)： Gui Handong (The University of Tennessee, Min H. Kao Department of Electrical Engineering and Computer Science, Knoxville, TN, USA) ,  Ren Ren (The University of Tennessee, Min H. Kao Department of Electrical Engineering and Computer Science, Knoxville, TN, USA) ,  Zhang Zheyu (The University of Tennessee, Min H. Kao Department of Electrical Engineering and Computer Science, Knoxville, TN, USA) ,  Chen Ruirui (The University of Tennessee, Min H. Kao Department of Electrical Engineering and Computer Science, Knoxville, TN, USA) ,  Niu Jiahao (The University of Tennessee, Min H. Kao Department of Electrical Engineering and Computer Science, Knoxville, TN, USA) ,  Wang Fred (The University of Tennessee, Min H. Kao Department of Electrical Engineering and Computer Science, Knoxville, TN, USA) ,  Tolbert Leon M. (The University of Tennessee, Min H. Kao Department of Electrical Engineering and Computer Science, Knoxville, TN, USA) ,  Blalock Benjamin J. (The University of Tennessee, Min H. Kao Department of Electrical Engineering and Computer Science, Knoxville, TN, USA) ,  Costinett Daniel J. (The University of Tennessee, Min H. Kao Department of Electrical Engineering and Computer Science, Knoxville, TN, USA) ,  Choi Benjamin B. (NASA Glenn Research Center, Cleveland, OH, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ECCE  ページ： 7010-7015  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温でコンバータを動作させるためには,パワー半導体デバイスの特性を理解することが重要である。本論文では,極低温での主要な製造者からの最先端の1.2kV SiC MOSFETのキャラクタリゼーションを示した。低温チャンバーと液体窒素Dewarから成る試験装置を紹介した。曲線トレーサと二重パルス試験により,静的とスイッチング性能の両方を含むSiC MOSFETの包括的特性化を行い,評価した。試験結果は,オン抵抗が増加し,一方,絶縁破壊電圧は低温で比較的一定のままであることを示した。閾値電圧とスイッチング損失のような他の特性は,異なる製造者からのデバイス間の極低温で著しく変化する。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *低温 ,  *炭化ケイ素 ,  *極低温 ,  *キャラクタリゼーション ,  電力トランジスタ ,  オン抵抗 ,  生産者 ,  試験装置 ,  変換器 ,  パルス ,  スイッチング損失
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  絶縁破壊電圧 ,  チャンバ ,  パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 極低温 ,  SiC ,  パワーMOSFET ,  特性評価