Ott Jennifer について
Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, Espoo, FI-02150, Finland について
Ott Jennifer について
Helsinki Institute of Physics, University of Helsinki, Gustaf Haellstromin katu 2, FI-00014, Helsinki, Finland について
Pasanen Toni P. について
Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, Espoo, FI-02150, Finland について
Repo Paeivikki について
Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, Espoo, FI-02150, Finland について
Seppaenen Heli について
Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, Espoo, FI-02150, Finland について
Vaehaenissi Ville について
Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, Espoo, FI-02150, Finland について
Savin Hele について
Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, Espoo, FI-02150, Finland について
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science について
フロート について
二酸化ケイ素 について
基板 について
ドーピング について
検出器 について
キャリア寿命 について
酸化アルミニウム について
電荷 について
不動態化 について
ケイ素 について
アルミニウム について
負電荷 について
電気抵抗率 について
ポストアニーリング について
アニーリング温度 について
表面不動態化 について
酸化アルミニウム について
電荷キャリア寿命 について
検出器 について
浮遊帯シリコン について
表面不動態化 について
太陽電池 について
酸化物薄膜 について
原子層蒸着 について
酸化アルミニウム について
検出器 について
グレード について
不動態化 について