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J-GLOBAL ID：201902260698890642   整理番号：19A2223851

原子層蒸着酸化アルミニウムによる検出器グレードのフロートゾーンシリコンの不動態化【JST・京大機械翻訳】

Passivation of Detector-Grade Float Zone Silicon with Atomic Layer Deposited Aluminum Oxide

著者 (7件)： Ott Jennifer (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, Espoo, FI-02150, Finland) ,  Ott Jennifer (Helsinki Institute of Physics, University of Helsinki, Gustaf Haellstromin katu 2, FI-00014, Helsinki, Finland) ,  Pasanen Toni P. (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, Espoo, FI-02150, Finland) ,  Repo Paeivikki (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, Espoo, FI-02150, Finland) ,  Seppaenen Heli (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, Espoo, FI-02150, Finland) ,  Vaehaenissi Ville (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, Espoo, FI-02150, Finland) ,  Savin Hele (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, Espoo, FI-02150, Finland)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 216  号： 17  ページ： e1900309  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン放射と粒子検出器は伝統的に熱二酸化ケイ素で不動態化されている。酸化アルミニウム(Al_2O_3)膜は,それらの高い負電荷により,より良好な表面不動態化を提供するが,Al_2O_3表面不動態化に関する研究は,通常低抵抗率基板上で行われることが示されている。ここでは,Al_2O_3による高抵抗率,検出器グレードのフロートゾーンシリコン(FZ-Si)の不動態化を研究し,キャリア寿命と膜特性に及ぼすポストアニーリング温度の影響に重点を置いた。Al_2O_3は,450~500°Cの温度でポストアニールしたとき,低い界面欠陥密度(2~4)×10~11cm-2eV-1および高い負酸化物電荷1×10~12~3×10~12qcm-2をもつ高抵抗率FZ-Si基板上に優れた表面不動態化を与えることを確認した。さらに,低抵抗率FZ-Siで報告されている典型的なポストアニーリングまたは金属焼結温度で起こるバルク寿命劣化の現象について高抵抗率試料を研究した。>500°Cのポストアニーリング温度において,基板が表面不動態化前に高温処理を受けなければ,バルク寿命の減少が観察された。さらに,高温処理が行われたときでも,n型試料はより低いバルク寿命を示し,これはFZ-Siバルク寿命劣化とドーピング型の間の関係を示している。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *フロート ,  二酸化ケイ素 ,  基板 ,  ドーピング ,  *検出器 ,  キャリア寿命 ,  *酸化アルミニウム ,  電荷 ,  *不動態化 ,  *ケイ素 ,  *アルミニウム ,  負電荷 ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： ポストアニーリング ,  アニーリング温度 ,  表面不動態化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 酸化アルミニウム ,  電荷キャリア寿命 ,  検出器 ,  浮遊帯シリコン ,  表面不動態化

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子層蒸着 ,  酸化アルミニウム ,  検出器 ,  グレード ,  不動態化