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J-GLOBAL ID：201902261050754639   整理番号：19A1740826

Bi₂Se₃-Bi₂Te₃積層トポロジカル絶縁体薄膜のARPES

著者 (12件)： 佐藤匠 (東北大 大学院) ,  中田優樹 (東北大 大学院) ,  菅原克明 (東北大 大学院) ,  菅原克明 (東北大 WPI-AIMR) ,  菅原克明 (東北大 CSRN) ,  相馬清吾 (東北大 WPI-AIMR) ,  相馬清吾 (東北大 CSRN) ,  高橋隆 (東北大 大学院) ,  高橋隆 (東北大 WPI-AIMR) ,  高橋隆 (東北大 CSRN) ,  佐藤宇史 (東北大 大学院) ,  佐藤宇史 (東北大 CSRN)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 74  号： 1  ページ： ROMBUNNO.17aK204-11  発行年： 2019年03月22日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 代表的な3次元トポロジカル絶縁体として知られるBi2Se3とBi2Te3は、比較的大きなバルクバンドギャップ内に、Γ点においてただ一つの表面ディラック電子バンドを持つことから、トポロジカル量子現象の舞台として精力的に研究されてきた。しかしな...【本文一部表示】

シソーラス用語： *トポロジカル絶縁体 ,  *積層構造 ,  *テルル化物 ,  *ビスマス化合物 ,  *セレン化物 ,  角度分解分光法 ,  *光電子分光法 ,  *バンド構造 ,  化合物半導体 ,  電子 ,  化学組成 ,  *電子構造
準シソーラス用語： Dirac電子 ,  セレン化ビスマス ,  テルル化ビスマス ,  *表面電子構造

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (3件)： トポロジカル絶縁体 ,  薄膜 ,  ARPES