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J-GLOBAL ID：201902261467692248   整理番号：19A0182533

開回路電圧増加を伴う反転高分子太陽電池における光浸漬効果の機構【JST・京大機械翻訳】

Mechanism of Light-Soaking Effect in Inverted Polymer Solar Cells with Open-Circuit Voltage Increase

著者 (13件)： Kusumi Takuji (Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University) ,  Kuwabara Takayuki (Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University) ,  Kuwabara Takayuki (Research Center for Sustainable Energy and Technology, Kanazawa University) ,  Fujimori Kyosuke (Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University) ,  Minami Takumi (Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University) ,  Yamaguchi Takahiro (Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University) ,  Taima Tetsuya (Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University) ,  Taima Tetsuya (Research Center for Sustainable Energy and Technology, Kanazawa University) ,  Takahashi Kohshin (Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University) ,  Takahashi Kohshin (Research Center for Sustainable Energy and Technology, Kanazawa University) ,  Murakami Tatsuya (Center for Nanomaterials and Technology, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), Japan) ,  Rachmat Vanadian Astari Suci Atina (Division of Materials Science, University of Tsukuba, Japan) ,  Marumoto Kazuhiro (Division of Materials Science, University of Tsukuba, Japan)
資料名： ACS Omega  (ACS Omega)
巻： 2  号： 4  ページ： 1617-1624  発行年： 2017年 
JST資料番号： W5044A  ISSN： 2470-1343  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,セルの開回路電圧(V_oc)が光照射下で時間とともに改善される反転高分子太陽電池(PSC)の光浸漬効果に関する新しい洞察を提示した。この効果を,裸の酸化インジウムスズ(ITO)とピペラジン誘導体修飾ITO/位置規則性ポリ-(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT):[6,6]-フェニルC_61酪酸メチルエステル(PCBM)基板の電子スピン共鳴(ESR)研究により調べた。これらの結果を,上記の基板に基づく反転PSCの交流インピーダンス分光法(IS)測定と組み合わせた。白色光照射下での基板によるESR実験では,UV光成分により,多くのP3HT+ラジカルカチオンが,裸のITO/P3HT:PCBM基板で観察された。ラジカルカチオンの数は,ITO/P3HT:PCBM基板において,ピペラジン誘導体によって修飾されたITOを用いてかなり抑制された。これはITO上の吸着酸素分子が光励起P3HTに対するアクセプタドーパントとして作用し,吸着酸素量はピペラジン誘導体によりITOを修飾することにより減少するからである。白色光照射下での反転PSCのIS測定において,ITO/P3HT:PCBM界面で形成された電気二重層の電気容量(CPE2)の減少が観察された。CPE2の減少とV_ocの増加の間に強い相関が観察された。これらの結果から,光浸漬挙動は,白色光照射下でITOとPCBM間に形成された電子注入障壁の除去に起因した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸着 ,  *浸漬 ,  光照射 ,  静電容量 ,  ドーパント ,  白色光 ,  交流 ,  カチオンラジカル ,  ESR【磁気共鳴】 ,  界面 ,  アクセプタ ,  酸化インジウムスズ ,  PCBM ,  *高分子太陽電池
準シソーラス用語： *開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 開回路電圧 ,  反転 ,  高分子太陽電池 ,  浸漬