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J-GLOBAL ID：201902262260437922   整理番号：19A0660700

広帯域光応答による高品質半導体二次元層状InSeのウエハスケール合成【JST・京大機械翻訳】

Wafer-Scale Synthesis of High-Quality Semiconducting Two-Dimensional Layered InSe with Broadband Photoresponse

著者 (12件)： Yang Zhibin (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, P. R. China) ,  Yang Zhibin (The Hong Kong Polytechnic University Shenzhen Research Institute, P. R. China) ,  Jie Wenjing (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, P. R. China) ,  Jie Wenjing (The Hong Kong Polytechnic University Shenzhen Research Institute, P. R. China) ,  Mak Chun-Hin (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, P. R. China) ,  Lin Shenghuang (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, P. R. China) ,  Lin Huihong (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, P. R. China) ,  Yang Xianfeng (Analytical and Testing Center, South China University of Technology, P. R. China) ,  Yan Feng (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, P. R. China) ,  Lau Shu Ping (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, P. R. China) ,  Hao Jianhua (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, P. R. China) ,  Hao Jianhua (The Hong Kong Polytechnic University Shenzhen Research Institute, P. R. China)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 4  ページ： 4225-4236  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料の大規模合成は,層状材料を実用的なデバイスに作製するための重要な課題の一つである。典型的なIII-VI半導体の一つとして,InSeは,その優れた電気輸送特性,魅力的な量子物理特性,および原子スケールに還元されたときの劇的な光応答により,多くの注目を集めている。しかし,単一相2D InSeのスケーラブル合成は今まで達成されておらず,更なる基礎研究とデバイス応用を大きく妨げている。ここでは,パルスレーザ蒸着(PLD)によるウエハスケール層状InSeナノシートの直接成長を実証した。得られたInSe層は,良好な均一性,マクロ組織特徴を有する高結晶性,およびその場精密制御による化学量論的成長を示した。光学特性の特性化は,PLD成長InSeナノシートが大規模2D結晶の中で広い範囲の可変同調バンドギャップ(1.26~2.20eV)を有することを示した。電界効果トランジスタの素子実証は,10cm~2V~-1s-1の高い移動度をもつn型チャネル特徴を示した。照明により,InSeベースのフォトトランジスタは紫外線から近赤外への波長に対して広い光応答を示した。最大光応答性は27A/Wに達し,応答時間は上昇に対して0.5s,減衰に対して1.7sであり,強く速い光検出能を示した。著者らの発見はPLD成長InSeが2D限界における将来のデバイス応用のための有望な選択であることを示唆する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ナノシート ,  *広帯域 ,  *二次元 ,  移動度 ,  紫外線 ,  光学的性質 ,  FET【トランジスタ】 ,  チャネル ,  バンドギャップ ,  キャラクタリゼーション ,  近赤外線 ,  *半導体 ,  結晶
準シソーラス用語： *InSe ,  *光応答 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： InSe ,  ウエハスケール合成 ,  単一層 ,  光応答 ,  パルスレーザ蒸着

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 広帯域 ,  光応答 ,  高品質 ,  層状 ,  InSe ,  ウエハ ,  スケール