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J-GLOBAL ID：201902262536911548   整理番号：19A2157271

炭素熱還元を用いた有機金属分解法によるV_1-xTi_xO₂薄膜の作製

Fabrication of V_1-xTi_xO₂ thin films by metal-organic decomposition using carbon thermal reduction

著者 (5件)： HAI Van Nhu (National Defense Acad., Kanagawa, JPN) ,  KAWAHARA Masami (Kojyundo Chemical Lab. Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  SAMURA Tsuyoshi (Kojyundo Chemical Lab. Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  TACHIKI Takashi (National Defense Acad., Kanagawa, JPN) ,  UCHIDA Takashi (National Defense Acad., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： 7  ページ： 075506.1-075506.6  発行年： 2019年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： V_1-xTi_xO₂薄膜を有機金属分解によりSi₃N₄/SiO₂/Si基板上に作製した。x=0~0.25の範囲のVO₂相を,N₂雰囲気中で15分間,300°Cでか焼した前駆体膜を調製し,その後N₂雰囲気中,580°C~600°Cで15分間焼成することにより得た。V_1-xTi_xO₂薄膜を炭素熱還元によって首尾よく得られた。抵抗-温度特性において,ヒステリシスの減少と金属-絶縁体転移(MIT)の広がりはxの増加と共に生じ,ヒステリシスとMITによる顕著な抵抗変化はx=0.25で消失した。x=0~0.25での抵抗(TCR)の温度係数は,27°Cで-4.1~-5.5%/Kと高かった。x=0.25では,TCRは,45°Cから65°Cまで-4.3~-7.0%/Kであり,10°Cから80°Cまでの温度範囲で,TCRの平坦な温度依存性を実現した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *還元 ,  *熱化学反応 ,  溶液成長 ,  *酸化バナジウム ,  *チタン ,  *ドーピング ,  窒素 ,  雰囲気 ,  か焼 ,  焼成 ,  *電気抵抗 ,  特性 ,  ヒステリシス ,  *金属-絶縁体転移 ,  温度係数 ,  温度依存性
準シソーラス用語： *炭素熱還元 ,  有機金属分解法 ,  *二酸化バナジウム ,  窒素雰囲気 ,  温度特性

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

引用文献 (35件)：

• J. B. Goodenough, Phys. Rev. 117, 1442 (1960).
• C. N. Berglund and H. J. Guggenheim, Phys. Rev. 185, 1022 (1969).
• J. F. De Natale, P. J. Hood, and A. B. Harker, J. Appl. Phys. 66, 5844 (1989).
• D. H. Kim and H. S. Kwok, Appl. Phys. Lett. 65, 3188 (1994).
• F. C. Case, J. Vac. Sci. Technol. A 2, 1509 (1984).

タイトルに関連する用語 (4件)： 炭素熱還元 ,  有機金属分解法 ,  薄膜 ,  作製