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J-GLOBAL ID：201902262698131102   整理番号：19A0114283

タングステンチップ上に蒸着した遷移金属窒化物薄膜から抽出したDC電界蒸着イオン種の観察【JST・京大機械翻訳】

Observation of DC field-evaporated ion species extracted from transition metal nitride thin film deposited on tungsten-tip

著者 (4件)： Nishimura Chikasa (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University Kyotodaigaku-Katsura, Nishikyo-ku, Kyoto, 615-8510, Japan) ,  Haneji Yuki (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University Kyotodaigaku-Katsura, Nishikyo-ku, Kyoto, 615-8510, Japan) ,  Tsuji Hiroshi (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University Kyotodaigaku-Katsura, Nishikyo-ku, Kyoto, 615-8510, Japan) ,  Gotoh Yasuhito (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University Kyotodaigaku-Katsura, Nishikyo-ku, Kyoto, 615-8510, Japan)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 51  号： 1  ページ： 61-64  発行年： 2019年 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子プローブ分析における窒素の電界蒸発機構を理解するために,遷移金属窒化物薄膜から抽出したイオン種を調べた。IV族遷移金属,すなわちチタン(Ti),ジルコニウム(Zr),およびハフニウム(Hf)窒化物の窒化物を,それらの良好な電気伝導率のために分析のために選択した。試料はタングステン針上に窒化物薄膜のスパッタリング堆積により作製した。測定は3つの異なる直流電圧で行い,各電圧で異なるイオン種を観測した。TiNとZrNでは,原子金属イオンと分子イオンの両方が検出され,TiNとZrNは三重荷電分子イオンの形で蒸発する傾向があった。ZrNでは,Zr2+,Zr3+,ZrN3+,(ZrN)2+が低い直流電圧で観察された。より高いチップ電圧では,これらのイオンに加えてN+イオンが検出された。これらの結果は,窒素の蒸発場がZr3+および(ZrN)2+よりも高いことを示唆している。HfNチップの解析において,イオンは検出できなかった。これらの結果は,解析した窒化物の仕事関数と結合エネルギーからほぼ推定される蒸発場間の差によって説明できる。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 窒素 ,  電圧 ,  *薄膜成長 ,  蒸発 ,  結合エネルギー ,  ハフニウム ,  *電場 ,  *イオン ,  電荷 ,  直流電圧 ,  *窒化物 ,  *タングステン ,  金属イオン ,  *薄膜 ,  仕事関数 ,  窒化チタン

著者キーワード (3件)： 原子プローブ ,  電界蒸発機構 ,  遷移金属窒化物

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (9件)： タングステン ,  蒸着 ,  遷移 ,  金属窒化物 ,  薄膜 ,  DC ,  電界 ,  イオン種 ,  観察