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J-GLOBAL ID：201902262858957908   整理番号：19A2366741

表面増強Raman散乱により調べた単一分子接合に及ぼすBias電圧の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Bias Voltage on a Single-Molecule Junction Investigated by Surface-Enhanced Raman Scattering

著者 (7件)： Yasuraoka K. (Department of Chemistry, Tokyo Institute of Technology, Japan) ,  Kaneko S. (Department of Chemistry, Tokyo Institute of Technology, Japan) ,  Fujii S. (Department of Chemistry, Tokyo Institute of Technology, Japan) ,  Nishino T. (Department of Chemistry, Tokyo Institute of Technology, Japan) ,  Tsukagoshi K. (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), Japan) ,  Juhasz G. (Department of Chemistry, Tokyo Institute of Technology, Japan) ,  Kiguchi M. (Department of Chemistry, Tokyo Institute of Technology, Japan)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 123  号： 24  ページ： 15267-15272  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面増強Raman散乱(SERS)を用いて,1,4-ベンゼンチオール(BDT)単分子接合に及ぼすバイアス電圧の影響を調べた。同一試料に対するSERSのバイアス電圧依存性を測定することにより,バイアス電圧の印加により355cm-1での振動モードの青方偏移を明確に観測できた。この測定はリソグラフィー技術で作製した非常に安定なナノギャップ電極を用いることにより可能である。一方,他の振動モードのエネルギーはバイアス電圧によって変化しなかった。結合強度の変化は,単一分子接合上のバイアス電圧の印加によって誘起された電荷移動によって説明できる。理論計算結果は,バイアス電圧の効果がπ系の再配列の結果であることを明らかにした。355cm-1モードは芳香環の面外モードである。BDT単分子接合において,π系は硫黄原子上に非局在化した。この非局在化はバイアス電圧の印加によって抑制され,したがって,芳香環はより多くの「ベンゼン様」であり,異常な振動はより高いエネルギーにシフトする。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *表面増強Raman散乱 ,  青方偏移 ,  バイアス ,  リソグラフィー ,  電圧依存性 ,  電荷移動 ,  振動モード ,  *電圧
準シソーラス用語： 非局在化 ,  再配列 ,  理論計算 ,  結合強度 ,  バイアス電圧 ,  *Bias ,  *分子接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 有機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08064T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 表面増強Raman散乱 ,  単一分子接合