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J-GLOBAL ID:201902263006452171   整理番号:19A1465500

光近接場によるシリコンの間接バンドギャップ半導体における直接波ベクトル励起【JST・京大機械翻訳】

Direct Wave-Vector Excitation in an Indirect-Band-Gap Semiconductor of Silicon with an Optical Near-field
著者 (5件):
資料名:
巻: 11  号:ページ: 044053  発行年: 2019年 
JST資料番号: W3691A  ISSN: 2331-7019  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究において,著者らの第一原理計算は,直接波-ベクトル励起(すなわち,フォノン支援のない異なる波数間のバンド間遷移)が,間接バンドギャップ半導体シリコンにおいて起こり得ることを明らかにした。光近接場(ONF)によるシリコン薄膜の照射により,波動ベクトル励起を成功裏に誘起した。結果として,吸収バンド端エネルギー[数式:原文を参照]は,遠方場光を伝搬させることにより,従来の励起に対して2.1eVの[数式:原文を参照]からのONF励起に対して1.6eVの低光子エネルギーにシフトした。直接波-ベクトル励起はONFに固有の波動ベクトルの十分に大きな成分によって引き起こされ,従ってフォノン支援を必要としない。現実的なシリコン系に対して,波動ベクトル励起が価電子帯と伝導帯の間のエネルギー差によって決定され,初期波と最終波のベクトルに関係なく起こることを明らかにした。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
光物性一般  ,  半導体結晶の電子構造  ,  励起子  ,  半導体のルミネセンス 

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