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J-GLOBAL ID：201902263090529850   整理番号：19A0071108

化学浴堆積によるZnOナノロッドの形態制御成長とそれらの構造的および光学的性質へのシード層依存性【JST・京大機械翻訳】

Morphology-controlled growth of ZnO nanorods by chemical bath deposition and seed layer dependence on their structural and optical properties

著者 (8件)： Terasako Tomoaki (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan) ,  Obara Shohei (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan) ,  Sakaya Shogo (Faculty of Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan) ,  Tanaka Mamoru (Faculty of Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan) ,  Fukuoka Ryota (Faculty of Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan) ,  Yagi Masakazu (National Institute of Technology, Kagawa College, 551 Koda, Takuma-cho, Mitoyo, Kagawa 769-1192, Japan) ,  Nomoto Junichi (Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Miyanokuchi, Tosayamada-cho, Kami, Kochi 782-8502, Japan) ,  Yamamoto Tetsuya (Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Miyanokuchi, Tosayamada-cho, Kami, Kochi 782-8502, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 669  ページ： 141-150  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化亜鉛(ZnO)ナノロッド(NR)を,種々の成長時間(t_g)で,硝酸亜鉛六水和物[Zn(NO_3)_2 6H_2O]とヘキサメチレンテトラミン(C_6H_12N_4)の水溶液を用いて,化学浴析出(CBD)によって,イオンめっきZnO:Ga(GZO)/ガラス,スパッタAu/SiO_2/Si(100)および市販Au/Ti/Si(100)基板上に成長させた。基板材料の違いに関係なく,ZnO NRは基板表面に垂直な方向に高度に配向していた。30分のt_gまで,3つの異なるタイプの基板上に成長させたすべてのNRに対して,NRの平均幅と長さは,t_gの増加とともに急速に増加した。t_gをさらに増加させると,GZO/ガラス,Au/SiO_2/Si(100)およびAu/Ti/Si(100)基板上に成長したNRの平均幅は,それぞれ~200nm,400nmおよび1000nmの幅で飽和する傾向があった。GZO/ガラス,Au/SiO_2/Si(100)およびAu/Ti/Si(100)基板上に成長させた最大平均長さは,それぞれ~1100,1600および2000nmであった。GZO/ガラス上に成長させたNRに作用する残留応力のt_g依存性は典型的な圧縮-引張-圧縮進展を示し,Volmer-Weber型成長機構により成長した膜に特徴的であった。しかし,Au/SiO_2/Si(100)またはAu/Ti/Si(100)基板上に成長させたNRに対して,NRに作用する応力は,全体のt_g範囲にわたって引張であった。Au/Ti/Si(100)基板上に成長させたNRの光ルミネセンス(PL)スペクトルは,全t_g範囲にわたる酸素格子間原子に関連したオレンジバンド(OB)発光によって支配された。より長いt_gsにおいてGZO/ガラスまたはAu/SiO_2/Si(100)基板上に成長させたNRは約380nmの波長で近バンド端(NBE)発光を示し,OB発光のPL強度はt_gの増加とともに大きくなり,t_gの増加と共に表面状態密度の減少を示した。PL励起スペクトルによると,OB発光は励起子および/またはNBE発光に関連した電子-正孔対の生成によって効果的に励起されることが明らかになった。光音響スペクトルの結果は,基板材料または前駆体の選択がギャップ内光音響バンドに関連する深い準位欠陥の形成の抑制に有効であることを示した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸化亜鉛 ,  前駆体 ,  水溶液 ,  *ナノロッド ,  励起子 ,  酸素 ,  音響 ,  *光学的性質 ,  基板 ,  深い準位 ,  光ルミネセンス ,  発光 ,  ガラス ,  引張
準シソーラス用語： *シード層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 化学浴析出 ,  イオンプレーティング ,  ZnO ,  ナノロッド ,  ストレス ,  光ルミネセンス

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学浴堆積 ,  ZnOナノロッド ,  形態制御 ,  成長 ,  光学的性質 ,  シード層 ,  依存性