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J-GLOBAL ID：201902263584826433   整理番号：19A1415264

弱く相互作用する基板上の薄膜成長中の伸び遷移厚さのスケーリング【JST・京大機械翻訳】

Scaling of elongation transition thickness during thin-film growth on weakly interacting substrates

著者 (4件)： Lue B. (Nanoscale Engineering Division, Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, SE 581 83 Linkoping, Sweden) ,  Souqui L. (Nanoscale Engineering Division, Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, SE 581 83 Linkoping, Sweden) ,  Elofsson V. (Nanoscale Engineering Division, Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, SE 581 83 Linkoping, Sweden) ,  Sarakinos K. (Nanoscale Engineering Division, Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, SE 581 83 Linkoping, Sweden)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 8  ページ： 084101-084101-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 伸び遷移厚さ(θ_elong)は,重要な原子論的膜形成過程の速度に関するθ_elongのスケーリング関係を介して,弱く相互作用する基板上の薄膜成長動力学の理論的記述における中心的概念である。今日まで,これらのスケーリング則はシミュレーションによって定量的に確認されているだけであるが,θ_elongを測定することができないので,実験的証明はあいまいである。ここでは,非晶質SiO_2上に成長するAg膜に対する実験的θ_elongを決定する方法を示した:典型的に弱く相互作用する膜/基板系。著者らの結果は,理論的に予測されたθ_elongスケーリング挙動を確認し,それにより,吸着原子拡散と島合体完了の速度を計算することができ,文献と良く一致した。ここで提示した方法論は,広範囲の弱く相互作用する膜/基板系に対する成長動力学の研究および原子論的プロセス速度のカタログ化のための基礎を与える。これは,触媒およびナノ電子応用のためのグラフェンおよびMoS_2を含む2D結晶上の良く制御された形態および界面構造を有する金属膜の指向性成長に対する洞察を提供する可能性がある。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 金属薄膜 ,  結晶 ,  曖昧さ ,  *薄膜成長 ,  *伸び ,  二次元 ,  *相互作用 ,  *基板 ,  銀 ,  指向性 ,  スケール則 ,  グラフェン ,  触媒
準シソーラス用語： 界面構造 ,  吸着原子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 相互作用 ,  薄膜成長 ,  伸び ,  遷移 ,  厚さ ,  スケーリング