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J-GLOBAL ID:201902263607545513   整理番号:19A1637706

微結晶のガルバニ-浸漬光合成により作製したZnO-Mヘテロ構造のルミネセンス特性【JST・京大機械翻訳】

Luminescence properties of ZnO-M heterostructures fabricated by galvanic-submerged photosynthesis of crystallites
著者 (5件):
資料名:
巻: 489  ページ: 269-277  発行年: 2019年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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光電子デバイスにヘテロナノ構造を適用することにより,顕著なルミネセンス特性を得ることができる。この挑戦は,半導体表面が金属と接触するならば,バンド曲がりを技術化することである。ガルバニ置換法は二金属ヘテロナノ構造合成のために汎用性がある。しかし,ナノ構造形態は金属対またはそれらの支持鋳型に依存して変化する。本研究では,ガルバニ置換反応により作製した容易な一次元ZnOナノロッド(NR)成長を実証した。二金属溶液を用いずに,Zn金属をAu,Pt,Ag,Cu,WおよびNi金属基板に接合することにより,ガルバニ置換反応を実施した。ZnO NRのルミネセンス特性を走査透過型電子顕微鏡(STEM-CL)における光ルミネセンス(PL)と陰極線ルミネセンスによって特性化した。PL分析結果に基づいて,酸素空格子点(V_O)は全てのZnO-M試料における可視光領域発光の原因となった。次に,STEM-CL分析は,ZnO-Mの界面における亜鉛格子間化合物(Zn_i)の存在を強調した。バンド曲がりのために,V_OとZn_iの間の相互作用は,界面における亜鉛アンチサイト(Zn_O)の形成をもたらした。Fermi準位ピン止めによるNRの可視光発光のシフトはなかった。これらの知見はヘテロナノ構造発光素子の将来の大規模合成と工学に有用である。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体のルミネセンス  ,  酸化物薄膜 

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