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J-GLOBAL ID：201902264244172737   整理番号：19A1902566

ゲート制御のないSn_0.02-Bi_1.08Sb_0.9Te_2Sにおける成長したままの単結晶フレークのDirac表面状態の量子Hall効果【JST・京大機械翻訳】

Quantum Hall effect of Dirac surface states of as-grown single crystal flakes in Sn_0.02-Bi_1.08Sb_0.9Te₂S without gate control

著者 (4件)： Ichimura Kakeru (Department of Physics, Graduate School of Science, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Matsushita Stephane Yu (Department of Physics, Graduate School of Science, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Huynh Kim-Khuong (WPI-Advanced Institute for Materials Research, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8578, Japan) ,  Tanigaki Katsumi (Department of Physics, Graduate School of Science, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 115  号： 5  ページ： 052104-052104-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三次元トポロジー絶縁体(3D-TI)における量子スピンHall効果(QSHE)は,自明でないトポロジー的表面Dirac状態(TSDSs)から生じる超低散逸電気輸送の実現の重要な特徴である。しかし,QSHEの観測はエピタキシャル成長または超薄(ナノメータレベル)フレークにより作製した薄膜結晶に対して低温で制限されており,電界効果トランジスタ(FET)構築を用いて有限Fermiエネルギー同調を必要とした。ここでは,FET構築下でのゲート制御なしに,剥離法により作製したSn-(Bi,Sb)_2(Te,S)_3(Sn-BSTS)の高品質単結晶フレークに対して,量子化レベルe~2/hのQSHEの明確な観測が可能であることを示した。QSHEは,マイクロメータの最大厚さにおいてミリメートル平方の極端に大きな試料面積で,20Kの最高温度まで観察され,これはこれまでの他の3D-TIに対して報告されたものより非常に優れている。Sn-BSTSの上部及び底部トポロジー表面状態の正確なバンド描像をQSHE及びShubnikov-de Hass(SdH)振動の両方から決定した。3D-TIの高品質Sn-BSTSは,将来期待される多くの技術的応用と同様に科学をターゲットとする実験に効果的に使用されるであろう。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *単結晶 ,  Fermi準位 ,  三次元 ,  FET【トランジスタ】 ,  エレクトロトランスポート ,  同調 ,  位相幾何学 ,  *結晶 ,  低温 ,  トポロジカル絶縁体 ,  *フレーク ,  薄膜 ,  最高気温 ,  マイクロメータ
準シソーラス用語： *ゲート制御 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート制御 ,  成長 ,  単結晶 ,  フレーク ,  量子Hall効果